應材 推出CVD／PVD新技術

新聞來源: 工商時報 (2014.6.10)

全球最大半導體設備廠應用材料宣布推出Endura Volta化學氣相沉積（CVD）鈷金屬系統，藉由鈷金屬來包覆銅導線，提供半導體廠快速搶進20奈米以下先進製程。同時，應用材料也推出Endura Ventura物理氣相沉積（PVD）系統，協助客戶利用直通矽晶穿孔（TSV）技術快速完成3D晶片產能佈建。

應用材料將鈷金屬層的導入 做為出色的金屬包覆薄膜，是半導體導線材料過去15年來最重大的變革。Endura Volta化學氣相沉積系統所擁有的兩項新製程步驟，為28奈米以下的銅導線製程提供主要的技術延伸性，第一項步驟為沉積一層高度完整披覆性的鈷內襯層， 可增加細銅導線中銅的間隙填充能力，第二項步驟是新的「選擇性」化學氣相沉積鈷金屬覆蓋層，此製程是在化學機械研磨後進行沉積以包覆銅線，可提高可靠性。

應用材料半導體事業群金屬沉積製程產品處資深經理吳紀樺表示，鈷金屬具有很好的銅黏著性，可以協助銅與其它金屬完整的連結在一起，因為製程進入28奈米以 下，特別是在20奈米世代，只靠厚度微縮是無法完整填充銅導線。同時，此一技術將可以延續到14/16奈米或10奈米世代，延續摩爾定律持續走下去。

吳 紀樺分析，利用鈷金屬進行化學氣相沉積製程，並用來完整包覆銅導線，可以阻止銅及介電材料上的相互影響。　事實上，當製程微縮愈來愈小，會出現電遷移失效 的問題，當強大電流在走動時，銅原子也會跟著同方向移動，若後面銅原子無法填補上就會出現導電不佳問題，所以，利用鈷金屬的選擇性沉積在銅導線，可以解決 銅及介電材料間覆著性太弱問題，進而解決電遷移失效，這是業界唯一的創新技術。