Christian G. Dieseldorff

新型コロナウイルスにより急増した電子デバイス需要にけん引され、半導体前工程製造装置（ファブ装置）市場は、2020年に16%増加した後も、2021年には15.5%、2022年には12%の成長が予測され、まれに見る3年連続の過去最高更新へと向かっていることが、最新のWorld Fab Forecastレポートで明らかになりました。 ファブ装置投資額は、2020年～2022年にわたり世界全体で毎年約100億ドルずつ増加し、2022年に800億ドルを超えるでしょう。通信、コンピューティング、医療、オンラインサービスなど、新型コロナウイルスの感染拡大を抑制すための対策を担う分野の基幹となる電子機器への爆発的需要が中心となって、投資を押し上げています。 図：ファブ装置投資額の年間推移 ファブ装置の投資額は歴史的にサイクルが存在し、1年または2年のプラス成長があると、通常、同程度の期間のマイナス成長が続きます。前回に3年連続のファブ装置投資額の連続成長が見られたのは、2016年からでした。それ以前に半導体産業が3年以上連続して投資額を増やしたのは、これより20年近く前、1990年代中頃の4年連続の投資額増加となります。 2021年と2022年のファブ装置投資の大部分は、ファウンドリとメモリー分野になるでしょう。最先端技術の投資がファウンドリの投資をけん引し、2021年には23%増の320億ドルとなり、2022年も同水準の投資が予測されます。メモリー分野のファブ装置投資は、全体では2021年に一桁成長の280億ドルを見込んでいますが、DRAMの投資額がNAND Flashを上回ることになるでしょう。2022年はDRAM、3D NANDの投資が旺盛となり、26％の急成長が予測されます。 パワー半導体とMPUの分野での投資も、予測期間に旺盛にわたり成長をするでしょう。パワー半導体は2021年に46%、2022年に26％の成長が予測されます。MPUは2022年に40%の成長が見込まれます。 各地域の成長率 韓国と台湾の今年のファブ装置投資額は、どちらも過去最高となるでしょう。韓国の投資額は46％増加して220億ドルを超え、台湾の投資額も30%近い成長により約190億ドルに達しますが、上振れの可能性もあります。ファブ投資額が世界第3位の中国は、貿易規制に直面しているため、2021年の投資額が約140億ドルに減少することが予測されます。欧州/中東地域の投資額も旺盛な回復を見せており、33%増の34億ドルに達し、2022年もさらなる成長が見込まれます。 生産能力 300mmウェーハファブの生産能力は、2021年、2022年とも8%ずつ増加しますが、200mmウェーハファブの生産能力の成長率は4～5%の成長に留まるでしょう。ファウンドリの生産能力は同期間に年率8%と、過去2年間の6%の成長率を上回ることが予測されています。メモリー生産能力は安定した成長を続け、2021年に約5%、2022年に約6%となり、生産能力ではNAND Flashの伸びがDRAMを上回るでしょう。 最新のSEMIのWorld Fab Forecastレポートは、1,374のファブ/ラインのデータを収録し、これには2021年以降に量産を開始する100以上の計画が含まれています。 クリスチャン・ディーゼルドルフは、SEMIの市場調査統計グループの上級主席アナリストです。 原文はこちら：https://www.semi.org/en/blogs/business-markets/global-fab-equipment-spending-poised-to-log-three-straight-years-record-highs

2012年の時点で、中国のIC生産能力は、世界7地域の中で5位でしたが、2018年には南北アメリカを、2019年には日本を抜いて、世界3位に躍進しました（図1）。ICは、ディスクリート、オプト、MEMS、センサーを除いたウェーハ生産能力の大半を占めますので、これは重大なことです。 中国のIC生産能力は、2019年に14%、2020年に21%と成長を加速しており、昨年12月3日に発行したWorld Fab Forecastの最新レポートによると、今年も少なくとも17％の成長が見込まれます。同期間で2番目に成長率が高いのは台湾の3%～4%です。 図1：ICウェーハ生産能力上位5地域の動向 最新World Fab Forecastレポートによると、2019年から2021年末にかけて、中国のウェーハ生産能力は、メモリーが95%、ファウンドリーが47%、アナログが29%増加します。増加量が最も大きいのはファウンドリーで、200mmウェーハ換算で月産200万枚に到達します。メモリーは月産約150万枚、アナログは月産12万枚以上となるでしょう。 しかし、中国系企業だけがこの成長をけん引しているのではありません。多くの海外企業もまた、中国のウェーハ生産能力増加に貢献しています（図2）。 図2：企業地域別の中国ICウェーハ生産能力 中国系企業と海外企業の生産能力シェアは2012年からほとんど変化がありませんが、中国系企業のシェアは60%から57%と微減しています。 2019年から2021年にかけて、中国系企業は、ファウンドリーの生産能力を60%近く拡大します。これはメモリーやアナログを上回る増加率です。SMIC、Hua Hong Semiconductor、Nexchip、XMC、Hua Li Microelectornicsがその中心となります。 同期間に、中国系企業はメモリー生産能力を、実質的にゼロから月産30万枚までに引き上げます。Yangtze Memory Technology（YMTC）およびChangXin Memory Technologies（旧Innotron Memory）が、それぞれ3D NANDとDRAMの生産能力増加をけん引しています。 海外企業では、TSMCとUMCがファウンドリー生産能力の成長に占める割合が最も高く、Samsung、SK Hynix、Intelがメモリー生産能力増加の原動力となっています。 詳細な情報はWorld Fab Forecastレポートをご覧ください。このレポートには、ファブの装置および建設投資、生産能力、テクノロジー、生産製品情報を、中国に限定しても280のファブ/ラインについて収録しています。これには2020年から2024年に量産を開始する40のファブが含まれています。 原文はこちら：https://blog.semi.org/business-markets/china-surges-past-the-americas-and-japan-in-ic-capacity