本イベントは終了いたしました。たくさんのご聴講誠にありがとうございました。
7月13日 (火) / 7月14日 (水) / 7月15日 (木)
7月13日 (火)
キヤノン
「多様な半導体デバイス製造に応えるキヤノン露光装置」
7月13日 (火) 10:00-10:25
自動車、通信、eコマースなど、半導体はあらゆる場面で社会を支えています。とりわけ、パワー・化合物半導体はカーボンニュートラルの一翼を担うキーデバイスとして注目されています。露光装置は、これら半導体という社会インフラを進化させるために必要不可欠な存在であり、キヤノンも露光装置ビジネスを通じて半導体デバイスの進化に貢献してきました。特にパワー・化合物半導体市場においては素材や基板サイズが多様なため、キヤノンでは、お客様の作る半導体の種類にあわせて製品ラインアップを広げ、ソリューションを強化してきました。本講演では多様な半導体デバイス製造に応えることをコンセプトに持つFPA-3030露光装置をご紹介します。
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ハイテック・システムズ
「パワーデバイス・MEMS関連向け海外メーカーの最先端薄膜成膜・エッチング・アニール装置のご紹介」
7月13日 (火) 10:30~10:55
アメリカVeeco社製サーマル・プラズマALD装置、ドイツSENTECH社製ICP-RIE・ICPECVD装置、フランスAnnealsys社製RTA/RTP装置、scia Systems社製イオンビームエッチング装置の特徴・アプリケーション含めて紹介いたします。
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日本セミラボ
「『ワイドバンドギャップ半導体ウエハーの非接触電気特性マッピング』&『キャリア分解型ホール効果測定機』」
7月13日 (火) 11:00~11:25
今回はワイドバンドギャップ材料のリーク評価と新型ホール効果測定機の2テーマを紹介します。
- ワイドバンドギャップ材料でのキャリ濃度プロファイル測定にて、デファクトスタンダードとなりつつあるコロナケルビン法による非接触測定機CnCV。その中のQUADという機能で欠陥、エピ層の露出によるリ-クなど電気特性マップが得られます。今回は、歩留まりに大きな影響を及ぼすキラー欠陥に迫ります。
- IBMから技術供与されたキャリ分解型ホール効果測定。NATUREでも発表され話題となった、これまで140年間ベールに包まれていた少数/多数キャリアの同時測定が可能となりました。
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ファーストゲート
「SiCウエハDRY IN/OUT全自動枚葉式ポリッシャーと高感度ウエハ表面検査装置のご紹介」
7月13日 (火) 11:30-11:55
第一部
REVASUM社が新規リリースいたしましたDRY IN/OUT全自動枚葉式ポリッシャー6EZと裏面研磨プロセス向けで多くの実績がある枚葉式グラインダー7AF-HMGをご紹介します。両モデルともバッチ式装置には無い高い生産性とプロセス再現性により、SiCデバイス製造におけるグラインダー、ポリッシャーのトータルソリューションを提供します。
第二部
SiCウエハを高感度・高スループットで測定可能な山梨技術工房社製レーザー散乱方式ウエハ表面検査装置のご紹介です。既存のシリコン対応ウエハ表面検査装置では対応できない、SiCウエハ0.1μm検出感度を達成した高感度で、洗浄工程やプロセスモニター工程改善をご提案します。
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タツモ
「パワーデバイス製造に対応するウェハー薄化ハンドリングソリューションのご提案」
7月13日 (火) 13:00~13:25
パワーデバイスを製造していく工程でウエハを薄くし、絶縁破壊電圧の低減やON抵抗減につなげますが、従来、ウエハの薄化にはテープサポートを用いて行う方式が採用されていました。
薄ウエハ搬送支援プロセス(テンポラリーボンディング)では、より薄く平坦に加工できるようサポートキャリアとウエハを接着剤を用いて一次的に接着を行い、薄化を実現します。
ウエハを薄化することで課題となる工程間搬送によるウエハのチッピングによるロスや反りの改善による品質向上が薄ウエハ搬送支援プロセスによって実現します。
今回、タツモでは世界のデバイスメーカーで採用されている薄ウエハ搬送支援プロセス対応装置をご紹介いたします。
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インターテック販売
「ウェットプロセスの可能性を広げる液浸技術 ~開発から量産まで~」
7月13日 (火) 13:30~13:55
弊社が日本代理店を務めるRENA Technologiesはウェットプロセス専門の装置メーカーで、ウェットエッチングの概念を覆す形状形成を可能にした液浸技術は、用途に応じたプラットフォームと実績豊富なソフトウェアで量産までの道のりをサポートします。
洗浄、エッチング、ストリップ、乾燥を兼ね備え、ウェットクリーニング、エッチング、リフトオフなど豊富なプロセスをカバー。金属不純物や液中汚染を回避する高洗浄化に加え、省フットプリントと高メンテナンス性も可能にしました。
今回は化合物半導体での実際のエッチングデータを交えたご紹介となります。
加えて、絶縁膜形成装置のベストセラーConcept Oneの純正アップグレードのご紹介を致します。
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ウェールズ政府
「英国ウェールズと始めるパワー・化合物半導体分野におけるコラボレーション及びビジネスチャンスとは」
7月13日 (火) 14:00~14:25
英国ウェールズ政府は化合物半導体を戦略的重要セクターとし、南ウェールズを中心とした地域に欧州における5つ目の半導体集積地そして世界初となる化合物半導体クラスターを設立しました。材料開発・デバイス設計・試作・量産に渡る全てのバリューチェーンを構築し、その規模は年々拡大しています。
英国中央政府は、2019 年に南ウェールズ・ニューポートに化合物半導体のアプリケーショ ン・商業化を支援する半官半民の研究機関 Compound Semiconductor Application Catapult を立地、今後ウェールズが英国及び欧州における化合物半導体産業の育成に向け中心的な役割を果たすことが期待されています。
本ウェビナーでは、ウェールズの化合物半導体産業の成り立ち、クラスターの特色、パワー半導体にフォーカスをした強みをご紹介いたします。又、化合物半導体クラスターとの協働の可能性や、日系企業へのビジネスチャンスについても触れ、当ウェビナーが今後の日・英のコラボレーションのきっかけになる事を願っています。
本セミナーは、お申込みいただいたすべての方がご聴講いただけます。
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SiCアライアンス
特別講演「ロードマップ紹介」
7月13日 (火) 14:30~15:30
松波先生を会長として、2010年から続いているSiCアライアンスの概要と、SiCアライアンスで議論し作成したSiC関連のロードマップを紹介する。ロードマップは、アプリケーションとして、自動車、鉄道車両、産業用パワエレ機器について、また、SiCデバイスだけでなく、周辺部品、SiCウェーハについてのロードマップも作成した。これらについて説明する。
さらに、2050年の社会像から、バックキャストした、モビリティビジョンや、2050年に向けてのe-VTOL、電磁カタパルト、走行中給電、自動運転といったモビリティ関連のロードマップについても解説する。
本セミナーは、お申込みいただいたすべての方がご聴講いただけます。
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7月14日 (水)
大陽日酸
「電子デバイス材料向けMOCVD/HVPE装置ならびに周辺設備の御紹介」
7月14日 (水) 10:00~10:25
大陽日酸はワイドバンドギャップ半導体用MOCVD装置を長年扱ってきました。酸化ガリウムHVPE装置などの次世代材料の開発にも着手するなど、パワーデバイス分野においてサステイナブルなビジネスを目差しております。講演ではGaN用量産型MOCVD装置の進捗状況について解説します。当社8インチ多数枚型MOCVD装置は供給側カセットからウエーハを1枚ずつ自動的に処理室に送り込み処理後収納棚カセットにウエーハを収納する方式、所謂“カセットツゥーカセット方式“の完成を目差しています。パワーデバイスソリューションとして、ALD用原料、洗浄装置などを紹介します。次世代材料として、酸化ガリウム用HVPE装置の開発状況も紹介します。
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ハーモテック
「特殊ウェーハ搬送メーカによるパワーデバイスウェーハ専用(極薄、TAIKO)ロボットハンド、搬送システムのご案内」
7月14日 (水) 10:30~10:55
パワーデバイスウェーハ搬送に関する問題をワンストップにて解消するソリューションをお届けします。
- 特許取得した専用ロボットハンド(ピンセット含む)によって、TAIKOウェーハの表裏非接触搬送や極薄ウェーハの非接触搬送を実現し、ウェーハのワレ、カケ問題や反りウェーハ搬送問題を解消します。
- 顧客ウェーハ形状(反り量や薄さ等)に合ったロボットハンドを装着した様々な搬送システムをご提案いたします。
- その他周辺機器(工程間カセットや輸送用コインスタックケース等)の情報も併せてご提供します。
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サムコ
「GaN & SiC パワーデバイス向けプラズマエッチングおよび成膜技術」
7月14日 (水) 11:00~11:25
最新のGaN & SiC パワーデバイス向けプラズマエッチングおよび成膜技術をご紹介します。
サムコは化合物半導体に特化したプラズマエッチングおよびCVD装置メーカーです。
テーマ:
GaN系パワーデバイス
● GaN/AlGaN高選択比エッチング
● GaNのリセスエッチング
● GaNのトレンチエッチング(縦型パワーデバイス)
GaN on SiC RFデバイス
● SiC ビアホール加工
SiCパワーデバイス
● SiCのトレンチエッチングおよび絶縁膜形成など。
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Veeco
「5G以降のソリューション提供 (MOCVD, MBE, Wet Cleaning/Etch, IBE, Litho)」
7月14日 (水) 11:30~11:55
AI、5/6G通信、IoT、自動運転などのメガトレンド化は、半導体デバイスへの性能/品質要求を増々高めています。当社は、Making a material differenceを合言葉に、専門技術と知見を結集した製品群とサポートを有しており、数十年来の材料科学、加工など独自ノウハウが、顧客の課題解決や高付加価値で収益性の高い持続可能な製品作りに貢献しています。
本日は、MOCVD、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、Wet Cleaning/Etch、IBE(Ion Beam Etch)、Lithoなど、デバイス製造をサポートする幅広いプロセスソリューションの紹介をします。
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列真
「SICウェハー及びエピウェハーの検査装置のご紹介」
7月14日 (水) 13:00~13:25
他社の検査装置では測定が難しい、SICウェハーの結晶欠陥の検査を弊社の検査装置でどのように検査することができるのかをご説明致します。
LODAS-SiCの特徴:
・SiC単結晶ウエハ,EPIウエハ両方検査可能
・表面欠陥だけでなく、内部欠陥、裏面欠陥も同時検査
・「AI Classify」が欠陥サイズによる分類(例:欠陥サイズレンジを0.1μm~0.15μmに設定、欠陥数を自動カウント)
・反射光、透過光、共焦点光を用いたハイブリッド検査装置
・欠陥分析を助ける4種類のReview画像(反射光画像、透過光画像、共焦点画像、顕微鏡画像)
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CyberOptics
「ワイヤレス気中パーティクルセンサの紹介」
7月14日 (水) 13:30~13:55
ワイヤレスでウエハ形状、真空対応の気中パーティクルセンサの紹介及びその事例を紹介いたします。装置内に搬送して気になる箇所のパーティクルをリアルタイムに測定し装置のクリーン度を最適化することが出来ます。様々な事例があるのですが、今回は特にパワーデバイスや化合物半導体の6インチの成膜装置におけるロードロックやプロセスチャンバの真空中の発塵を抑える手法を紹介いたします。
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浜松ホトニクス
「GaN結晶評価の新手法。全方位フォトルミネッセンス法を用いた内部量子効率測定による結晶欠陥の定量性評価」
7月14日 (水) 14:00~14:25
GaN等の化合物半導体結晶の結晶性と密接に関係する内部量子効率(IQE)を非接触、非破壊で評価する新手法として、全方位フォトルミネッセンス(ODPL:Omnidirectional Photoluminescence)法を紹介する。大電流を流すパワーデバイスの性能向上にはウェーハの結晶性品質が重要だということが益々叫ばれている。転位や不純物などデバイスの特性を左右する結晶欠陥の評価法として、フォトルミネッセンス(PL)を用いた手法が広く用いられているが、定量性に欠けるという問題を抱えている。本法では、積分球を用いた化合物半導体結晶の外部量子効率(EQE)の絶対値を正確に測定する手法と、測定により得られたEQEからIQEを算出する方法について説明する。
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ノリタケカンパニーリミテド
「MOCVD装置向け洗浄装置、研削・研磨・切断工具用ダイヤモンド工具のご紹介」
7月14日 (水) 14:30~14:55
MOCVD装置内の石英部品やSiCコート黒鉛のサセプター等、成膜処理後に付着したGaNやAlGaN 、GaAs等のIII-V族化合物の堆積物を洗浄するドライ式の洗浄装置を御紹介します。洗浄ガスは複数の選択肢があり、洗浄対象やエピ膜の材質等を考慮した選択が可能です。ドライ式の洗浄なのでウェット式洗浄と比べて部品、治具へのダメージが少なく、お客様のランニングコスト低減に貢献します。
また、半導体ウエハ、電子部品、センサー用ガラス等、を対象としたノリタケの研削・研磨・切断工具用各種ダイヤモンド工具についても御紹介致します。
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LPE
「Powering the Future - SiCウエハの圧倒的なパフォーマンスへの道を切り開くエピ成膜先端技術のご紹介」
7月14日 (水) 15:00~15:25
LPEは1972年にミラノに設立され、世界初の誘導加熱式EPIリアクターを導入し、高品質で厚いエピタキシャル層を成長させることに成功しました。LPEは、パワーディスクリートデバイスの製造において、ヨーロッパの半導体産業の発展に貢献してきました。それから約50年、Siエピ装置は400台以上、SiCエピ装置は世界中で80台近く稼働しています。 パワーエレクトロニクス用のプロセスや材料に関する欧州の大学との研究開発協力により、LPEの製品は常に最先端の性能を維持しています。最新の開発により、200mmSiCウエハにおいて、低コストかつ今までにないドーピング濃度と厚みの均一性を実現しています。
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7月15日 (木)
ブルカージャパン
「パワー・化合物半導体向けAFMナノエレクトロニクス評価技術最前線 ~表面形状からナノスケール電気特性評価まで~」
7月15日 (木) 10:00~10:25
パワー半導体は電気自動車や鉄道、スマートフォンやテレビ、エアコンまで幅広く用いられています。また、テレワークの普及に伴い化合物半導体を用いた5G向けの高周波デバイスの需要も増えてきています。
本講演ではパワー・化合物半導体向けに、原子間力顕微鏡を用いた表面形状評価に加え、ナノエレクトロニクス評価技術の原理から測定例の紹介を行います。講演の最後には最新技術を用いた解析例もご紹介いたします。
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ブルカージャパン
「ブルカーが提供する、パワーデバイス・化合物半導体向け自動X線検査システム」
7月15日 (木) 10:30~10:55
ブルカーの化合物半導体向けのX線検査システムは、イギリスのBede社が1985年に世界で初めてX線トポグラフィーを使ってX線回折装置の製品化に成功したルーツを持っています。
これより30年以上にわたって、半導体業界の拡大とそのニーズに合わせて、化合物半導体向けのみならず、シリコン半導体向けX線検査システムを進化させて来ました。
今回は、ブルカーが提供する半導体向け各種測定システムの中から、化合物半導体・パワーデバイス向けの自動X線検査システムをご紹介致します。
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上野精機
「高速搬送、ダメージレス搬送、マイクロクラック外観検査を融合した技術と装置の紹介」
7月15日 (木) 11:00~11:25
■ 技術
- 上野精機の独自技術(高速搬送、ダメージレス搬送など)
■ 外観検査
■ 上野精機会社概要
- 会社の特長
- 装置In ⇒ OUTの紹介
- 装置ラインナップ
- 高温
- クリーンルーム対応
■ PR ビデオ(動画)
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新光電気工業
「POL-kW高出力パワー半導体向けパッケージのご紹介」
7月15日 (木) 11:30~11:55
SiCやGaN等の次世代パワー半導体の利点を最大限に引き出すため、小型、低インダクタンス、高放熱なパッケージが必要とされています。
このような要求に応えるため、弊社では高出力パワー半導体向けパッケージとしてPOL(Power Overlay)の開発し、2017年からサンプル出荷を始めています。
本セミナーではPOLの概要と、POL+DBC構造で取得した信頼性評価結果、及びPOLを用いたパワー半導体モジュール事例についてご紹介致します。
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千住金属工業
「次世代パワーデバイスの課題解決に貢献し得る技術と最新接合材料」
7月15日 (木) 13:00~13:25
世界がカーボンニュートラルへ大きく舵を切り、車の電動化や、電気・電子機器の消費電力低減が求められている。特に移動が制限される社会情勢下では、高速通信網を構成する無線通信基地局やデータセンタなどの電力消費量をいかに抑えるかが重要である。これらの機器には数多くのパワーデバイスが使用されており、昨今ではSiC・GaNなど高効率を追求した素子の採用も始まっている。しかし、これら次世代パワーデバイスに関しては、放熱特性をはじめとする種々の課題もあるのが実情であり、目的や用途に応じてモジュール構造や実装プロセス/材料を適正化する必要がある。今回はパワーデバイス向け各種接合材料の視点から最新の技術動向を紹介する。
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TOWA
「次世代パワー半導体実装におけるモールド封止技術のソリューション」
7月15日 (木) 13:30~13:55
半導体の樹脂封止技術には、大きく分けてトランスファとコンプレッション、2つの方式があります。
長年の実績を誇るトランスファ方式に加え、最先端封止技術として新たに開発したコンプレッション方式で、市場のニーズを先取りしたモールドプロセスを提案しています。
ここでは、次世代パワー半導体製品に求められる、大電流・高電圧に耐えうる信頼性の高いエポキシ樹脂封止のソリューションを紹介します。樹脂封止による信頼性向上に加え、製品の小型化、軽量化、コストダウンに繋げる最適なパッケージングをご提案致します。
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多加良製作所
「トランスファー成形が切り開く次世代パッケージ」
7月15日 (木) 14:00~14:25
機電一体化に向け製品の小型化、薄型化、軽量化が進み、モジュール化や防水性、耐振耐衝撃性の向上といったニーズが高まっている。
多加良製作所では従来の半導体の封止技術であるトランスファー成形を応用し、複数部品の一括成形や金属部品やガラスから樹脂への代替等、これらの課題を解決する。
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上野精機長野
「低温~高温での電気特性検査装置/外観検査装置とデータ保存システム」
7月15日 (木) 14:30~14:55
自動車関連を始め、量産化に求められる条件は多様化されており、
最適にカスタマイズされたシステムが求められております。
私たちは日本のモノづくりを要素技術で支援する、エンジニアリングメーカーです。
【高温・低温電気特性検査装置】
- ワーク温度-50~200℃でのフルレンジ
- 低温チャンバー内の流動状態を可視化
- 省スペース構造による全数インライン検査装置
【外観検査装置】
- 検査項目に応じた最適な撮像環境の構築。
- トレーサビリティ対応データ保存システム(EYE GATE)
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SEMI
「POWER & COMPOUND FAB REPORT TO 2024 のご紹介」
7月15日 (木) 15:00~15:25
POWER & COMPOUND FAB REPORTは、世界中の400以上のパワー半導体のファブと500以上の化合物半導体のファブの生産能力、テクノロジー、製品などの最新ファブデータと、2024年までの投資予測を収録しています。このレポートについてご紹介いたします。
本セミナーは、お申込みいただいたすべての方がご聴講いただけます。
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