パワーデバイスの基本構造・特性、製造方法、パワーモジュールの概要から信頼性評価に至るまで、基本的な内容を一通り理解できる構成。
受講者の方には、「はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編」「半導体技術者検定 受験券」を進呈。
検定試験を受けることにより、理解度を確認することができます。
開催概要

開催日時:
10月 27日(火)9:45 - 17:45
10月 28日(水)9:45 - 17:45
対象者:
現在半導体、特にパワーエレクトロニクス分野に関わる若手技術者の方
半導体業界に興味がある理系大学生、大学院生の方
開催場所:
SEMIジャパン JPRビル7階 第一、第二会議室
東京都千代田区九段南4-7-15 JPR市ヶ谷ビル7F
※1Fが「東急リバブルGRANTACT市ヶ谷」のビルです
https://goo.gl/maps/kpoo7wpDk5u5KN517
アクセス:
JR総武線「市ヶ谷駅」より徒歩5分
JR市ヶ谷駅より靖国神社方向にお進みください。進行方向右手。
都営地下鉄新宿線、東京メトロ有楽町線・南北線
「市ヶ谷駅(A3出口)」より徒歩1分(A3出口から地上に出られた右手)
主催 : SEMI ジャパン/パワーデバイス・イネーブリング協会(共催)
参加費 :
SEMI会員/パワーデバイス・イネーブリング協会会員:46,000円
一般(非会員企業)の方:67,000円
※価格はいずれも税抜です
定員 : 18名(先着順)
その他 : 2日間とも昼食(お弁当)をご用意させて頂きます。
コロナウイルス感染防止対策につきまして:
①下記の場合は来場をお控え頂きますよう宜しくお願い致します。
- 発熱、咳、咽頭痛等の症状がある場合
- 過去2週間以内に感染が引き続き拡大している国や地域への訪問歴がある場合、また訪問歴がある方との濃厚接触がある場合
- 過去2週間以内に新型コロナウイルス感染症陽性と診断された方との濃厚接触がある場合
- 過去2週間以内に同居されている方に感染が疑われた場合
②本講座当日に感染者が出た場合、必要に応じて収集した個人情報を保健所等の公的機関に提供する場合がございます。
③当日は受付にて検温を実施致します。37.5度以上の場合はご入場頂けませんので、ご了承下さい。

プログラム
※内容はやむを得ず変更となる場合がございます。予めご了承ください。
Ⅰ.導入 |
(1)パワーデバイスの用途 (2)パワーデバイスの種類 |
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Ⅱ.半導体特性の基礎 |
(1)半導体とは (2)半導体中の電気伝導 (3)バルク抵抗と特性抵抗 (4)アバランシェブレークダウン電圧 (5)パワーデバイス終端構造 (6)ライフタイム |
Ⅲ.パワーデバイスの特性 |
(1)PN接合ダイオード (2)ショットキーダイオード (3)PiNダイオード (4)パワーMOSFET (5)IGBT (6)サイリスタ (7)ワイドギャップ半導体 |
Ⅳ.最新のパワーデバイス |
最新のパワーデバイスに関して以下の各デバイスの論文紹介をします。SiのIGBT、4H-SiC のJBSとMPSの各ダイオード、及びパワーMOSFET、そしてGaN HEMT |
Ⅴ.パワーデバイスの製造 |
Siのパワーデバイス用ウエハ(FZ (Floating Zone) ウエハとエピタキシャルウエハ)を紹介し、FS(Field Stop)-IGBTの概要プロセスフローを説明します。また、パワーデバイス特有プロセスとして、スーパージャンクションMOSFET形成方法、及び薄ウエハのハンドリングを可能にするTAIKOプロセスについても説明します。更に、4H-SiCの特有プロセス(Siプロセスと大きく異なる点)についても説明します。 |
Ⅵ.パワーモジュール |
パワーモジュールとしてIGBTモジュールを取り上げ、このモジュールの構成と製造フローの概要について説明します。更にパワーモジュールの高性能化についても説明します。 |
Ⅶ.パワーデバイスの測定 |
測定対象のパワーデバイスとしてIGBTを取り上げ、最大定格、動特性、及び静特性の各パラメータを説明します。また、チップテスト(静特性)とモジュールテスト(熱抵抗)の概要を説明します。 |
Ⅷ.パワーデバイスの応用(回路) |
パワーデバイスの応用として、AC-DCコンバータ(整流回路)、DC-DCコンバータ、及びDC-ACインバータがあり、これらを説明します。ここでは、特にDC-DCコンバータのスイッチング電源に注目します。このスイッチング電源として、矩形波非絶縁型(昇圧、降圧、昇降圧)、矩形波絶縁型(フルブリッジ、ハーフブリッジ、フォワード、プッシュプル、フライバック)、及び共振型(電流共振、電圧共振、部分共振)があり、これらの電源の動作メカニズムを説明します。 |
Ⅸ.パワーデバイスの品質保証 |
パワーデバイスの故障率(初期故障、偶発故障、摩耗故障)及びパワーデバイス特有の信頼性試験について説明します。また、代表的なパワーデバイスの故障モード(パワーMOSFETの高dV/dt、IGBTのラッチアップと短絡回路、サイリスタの高dI/dtと高dV/dt)とパワーモジュールの故障モード(パワーサイクルによる温度変化)を説明します。最後に、有効な故障診断装置を紹介します。 |
講演者
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群馬大学大学院理工学府電子情報部門客員教授 松田 順一 氏 1979年同志社大学大学院工学研究科電気工学専攻前期博士課程修了。 |
お申込みについて
お申込みにあたり、以下の事項について必ずご一読ください。
【お支払い方法】
「銀行振込」を選択された方:
後日請求書を郵送しますので、支払い期日(翌月25日)までにお支払いください。なお、期日内のお振込みが難しい場合は、同封の「お支払通知書」にお振込予定日をご記入の上、FAXにてご返送ください。
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後日、領収書を郵送します。
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※会員資格を確認できない場合、非会員料金で請求書を送付いたしますので、予めご了承くださいませ。
※会員番号はこちらでも確認いただけます。
【キャンセル・変更について】
お申込日を起算日として10日以降(例:10月1日にお申込の場合、10月10日以降)、及び、開催日14日前(10/13(火))を過ぎた場合、キャンセル・変更はできません。代理の方の出席にてお振替えください。
万一ご欠席の場合でも、参加費用全額を申し受けますので、あらかじめご了承ください。
お問合せ
SEMIジャパン イベント受付
Tel: 03-3222-5988 Fax: 03-3222-5757
*電話受付時間:平日9:30-11:30 / 13:00-17:00
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