SEMI Members Day 2025

開催概要

先端メモリー半導体並びにCMOSイメージセンサーは、日本の国家戦略上、ますますその重要性を高めています。各国で、コスト削減や性能向上を目指した技術開発や投資が急速に進展しており、国際的な競争も激化しています。

そのような状況の中、日本に製造拠点を構える企業のさらなる躍進が強く期待されています。

今回の「SEMI Members Day」では、日本並びに世界を代表するデバイスメーカー３社に、各社の技術開発の最新動向についてご講演いただき、SEMI会員の皆様に向けて、最新の情報をお届けいたします。
 

開催日時：2025年10月17日（金）13:30 - 17:20（開場 13:00）

参加費：SEMI会員 無料

定員：300名

会場：TKP市ヶ谷カンファレンスセンター （地図はこちら）

申込締切：10月16日 (木) 12:00（正午）
※先着順でのご案内となりますので、ご了承の上、お早めにご登録ください。

このような方に特におすすめです！

• 2025年以降のメモリ半導体、CMOSイメージセンサーの技術開発動向に興味のある方
• メモリ半導体、CMOSイメージセンサーにおける事業・製品・営業戦略のサポート情報に興味のある方
• 登壇される講師、SEMIメンバ企業とのネットワーキングに興味のある方

アジェンダ

13:30　｜　挨拶

　　　　　　　　　SEMIジャパン 代表　浜島 雅彦

13:35　｜　「高積層3次元フラッシュメモリにおけるプロセス開発の課題とその対策」

宮島秀史

キオクシア
常務執行役員
技術統括責任者
 

AI技術の発展はフラッシュメモリ市場を急速に拡大すると同時に、高容量/高速/高信頼/低消費電力/低コストなど要求は高まっている。3Dフラッシュメモリの高密度化は、当初はセルの高積層化によってもたらされたが、周辺回路とセルを別々のウェハ上に形成した後、両者を接合するCMOS directly Bonded to Array（CBA）構造の採用は前世代から積層数を34％、ビット密度を50％向上させた。本講演では、今後必要とされる製造プロセス技術において、メモリホールエッチングの高速加工技術や3D構造における成膜技術などフラッシュメモリ製造に不可欠な技術の抱える課題を議論する。

14:15　｜　「AI革命に向けたメモリソリューションの開発最前線」

白竹 茂

マイクロンテクノロジー
DRAM開発部門 
シニアバイスプレジデント
 

AI技術の急速な進化と社会への浸透が進む中、メモリデバイスにはこれまでにない高性能化と大容量化が求められるようになっています。特に、AIアプリケーションが扱う大量のデータやリアルタイム性の高い処理要求に応えるためには、従来の枠組みにとらわれない革新的なメモリアーキテクチャと製造技術が不可欠です。
本講演では、最先端の半導体メモリ技術に関する最新の動向を概観し、今後AI革命を牽引する上で鍵となる技術課題や、開発最前線の状況を紹介します。また、今後の市場動向や技術ロードマップを踏まえ、次世代メモリソリューションが果たすべき役割と、サプライヤへの期待についても解説いたします。

14:55　｜　休憩

15:05　｜　スピードネットワーキング

　　　　　　　　　SEMI Member 新規ご参画企業3社紹介

15:20　｜　SEMI活動報告

　　　　　　　　　SEMIジャパン　代表　浜島 雅彦

15:35　｜　「イメージセンサーとセンシング技術の動向と将来展望」

大池 祐輔

ソニーセミコンダクタソリューションズ
執行役員 CTO
研究開発センター長（兼）
 

電子の眼ともいわれるイメージセンサーは、その技術進化によってカメラの性能を飛躍的に向上させて、私たちの現在の生活に欠かせないデバイスとなりました。スマートフォン普及による小型・高機能化のニーズに応えたイメージセンサーの3次元積層技術とアーキテクチャーの変遷や、車載分野において安全性と快適性を向上させる次世代モビリティに貢献するイメージセンサーとセンシング技術の進化、さらに画素並列回路アーキテクチャーの可能性と将来展望を紹介します。

16:15　｜　終了

16:20　｜　レセプション開始

17:20　｜　終了