先端CMOSデバイス・プロセスセミナー(2)

SEMI Forum Japan 2013

  じっくり話をしませんか。

 明日に向けて、半導体技術とビジネスを。


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先端CMOSデバイス・プロセスセミナーはセミナー(1)(午前の部)とセミナー(2)(午後の部)がございます。

先端CMOSデバイス・プロセスセミナー (2)

微細化の限界を切り開く、装置技術

  • 日付:5月21日(火) 14:30-17:30
  • 会場:グランキューブ大阪
  • 参加費用:(消費税別)

先端CMOSデバイス・プロセスセミナー(2)のみ
5月10日(金)まで 21,000円/5月11日(土)以降 25,000円
資料事前ダウンロード付(当日配布なし)

お申込

学校関係者(含学生)特別価格 3,500円 資料事前ダウンロード付(当日配布なし)
学校関係者に該当する方は、「お申込」ボタンをクリックし、ログイン後、「申込情報入力」の画面で、「ユーザー情報編集」ボタンをクリックし、「学生割引の適用」の項目を「対象」にしてください。 

 

パッケージでのお申込をお勧めします。

先端CMOSデバイス・プロセスセミナー(1) &
先端CMOSデバイス・プロセスセミナー(2)セット割引パッケージ

5月10日(金)まで 34,000円/5月11日(土)以降 42,000円
資料事前ダウンロード付(当日配布なし)  *学校関係者特別価格対象外

セミナー(1)の詳細はこちら

お申込

プログラムチェア

東京エレクトロン株式会社 
廣田 良浩

日新イオン機器株式会社  
酒井 滋樹

パナソニック株式会社    
岡田 健治

パナソニック株式会社    
笹子 勝

プログラム概要

我が国の半導体産業のコアコンピタンスである装置産業・技術は、全世界の先端CMOSおよび新規デバイスの微細化、高性能化を担っています。本セミナーでは、装置業界のトップリーダーが、450mm化を含めたワールドワイドな装置ビジネス戦略と装置技術動向を解説し、今後の半導体産業・技術動向を展望します。

アジェンダ

14:30-14:35

セミナー紹介

14:35-15:15

東京エレクトロンの世界展開と開発戦略
東京エレクトロン(株)
SPEプロセス開発本部 本部長
鄭 基市

半導体製造装置に対する要求は、微細化、新構造・新材料の導入、ウェーファーの大口径化など多岐にわたっており、また同時にこれまで以上の量産性能が求められている。一方、製造装置市場は8割以上海外にシフトしており、先端技術の開発拠点もW/W化している。このような環境下でのTELの開発戦略、W/Wにおける拠点・コンソーシアとの共同開発などの取組みについて発表する。

15:15-15:55

先端CMOSデバイス対応ドライエッチング技術
ラムリサーチ(株)
取締役・CTO
野尻 一男

先端CMOSデバイスの微細加工では、加工形状制御性に加え、CDのウェハ面内バラツキの低減やLWRの低減が強く求められる。また、パターンの微細化に伴うエッチングのアスペクト比依存性を低減する必要がある。デバイス特性面ではプラズマによるダメージがますます深刻になってくるため、低ダメージのエッチング技術が要求される。本講演では、これらの課題に対するラムリサーチのソリューションを報告する。

15:55-16:35

拡散・イオン注入技術・装置の現状と将来
日新イオン機器(株) 
I/I事業部 エキスパートマネージャー
丹上 正安

300mmウェハ用拡散・イオン注入に関するデバイス・プロセス・装置技術の状況についてレビューし、今後の450mmウェハ以降の開発について展望を述べる。

16:35-17:15

先端CMOSのエピタキシャル成長技術の動向と課題
名古屋大学
大学院工学研究科 教授
財満 鎭明

先端CMOS技術では、チャネルの高移動度化を実現するために、埋め込みソース/ドレインを用いた局所ひずみ技術と共に、Si以外の半導体をチャネル領域に導入することが検討されている。これらの技術では、Si上へのヘテロエピタキシャル成長が大きな課題となる。本講演では、先端CMOSに必要とされるエピタキシャル成長技術の動向と共に、ヘテロエピタキシャル成長の基礎と課題、ひずみや転位等の制御の考え方などについて話す。

17:15-17:30

オーサーズインタビュー

 

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お問合せ

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