パワーデバイスセミナー
－Siを超えるエコデバイスがいよいよ市場に－

日付：5月27日（水）　10:00-17:00 会場：グランキューブ大阪 参加費用：5月15日(金)まで 26,000円／5月16日(土)以降 33,000円(消費税込) テキスト(CD-ROM)、昼食付 ○ 学校関係者(含学生)特別価格：3,500円(消費税込) テキスト(CD-ROM)、昼食付 学校関係者に該当する方は、「お申込」ボタンをクリックし、ログイン後、「申込情報入力」の画面で、「ユーザー情報編集」ボタンをクリックし、「学生割引の適用」の項目を「対象」にしてください。 プログラムチェア： パナソニック(株) セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター 電子デバイス研究グループ 第二研究チーム チームリーダー 上本 康裕 ローム(株) 研究開発本部 新材料デバイス研究開発センター センター長 中村 孝 プログラム概要 省エネ・環境が世界規模で問題化している中、にわかに注目を集めつつあるワイドバンドギャップ半導体を中心として、市場動向、応用、デバイス、モジュール実装にわたり講演いただきます。 アジェンダ
10:00-10:10	セミナー紹介
10:10-10:50	Future Market of SiC and GaN Power Devices YOLE DEVELOPPEMENT Compound Semiconductors and Power Electronics, Project Manager Philippe Roussel With the recent introduction of 4” diameter SiC substrates, material makers are now marketing a product able to fit with the power device maker main requirements. However, few of them have already entered in the production phase, and if we except Cree, Infineon, STM and some smaller entities no other big name is commercially active on this segment. SiC material cost and small diameter has always been mentioned as a restraint to justify that low interest. GaN is then seen as THE alternative solution, exhibiting comparable specs at lower cost thanks to the availability to grow the GaN on cheaper and larger substrates such as 6” Silicon. Now, the battle will probably take place at device level… ※本講演は英語で行われます。
10:50-11:50	電力事業分野におけるパワーデバイス 関西電力(株) エグゼクテブ リサーチャー 菅原 良孝 近年、電力事業分野においては、電力の安定供給や温暖化等の環境対策の点から、電力潮流の制御や電力品質の向上、多様な新エネルギーの取込みや柔軟なシステム運用が益々必要になってきており、パワーエレクトロニクス技術とその基幹部品であるパワーデバイスの寄与が更に重要になっている。 本講演では電力事業分野におけるパワーデバイスの適用事例を概観し、現行のSiパワーデバイスの性能上の課題をピックアップする。その上で、次世代用SiCパワーデバイスに注目し電力事業用変換装置への適用インパクトを述べ、更にSiCパワーデバイスとSiCインバータの開発状況を紹介する。
11:50-12:30	自動車の電動化へ向けたパワーエレクトロニクス 日産自動車(株) 総合研究所 電動駆動研究所主管研究員 忍足 俊一 自動車の電動化を推進するためには、自動車に必要な耐環境性、高信頼性、安定供給、コストなどを満足しつつ、お客様に購入していただける魅力の高い商品を開発する必要がある。魅力向上へ向けた日産自動車のパワーエレクトロニクスに関する研究内容を、モータ、インバータ、電動車、SiC半導体を前提にした新コンセプトの高耐熱実装の試みなどを中心に紹介する。
12:30-13:10	昼食（12:30-12:45 オーサーズインタビュー）
13:10-13:50	SiCパワー半導体デバイスの進展 (株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー 研究主幹 四戸 孝 パワーデバイスは、各種電源、インバータエアコンからハイブリッド自動車、新幹線、電力変換など社会のあらゆる分野で使われ、省エネ・環境保全のキーデバイスとしてますます重要性が高まっている。本講演では、次世代パワーデバイスとして期待されているSiCパワー半導体デバイスの開発動向、電源やインバータへの適用研究の動向、技術課題を紹介する。
13:50-14:30	SiCパワーデバイスの開発 ローム(株) 新材料デバイス研究開発センター 研究員 三浦 峰生 電力エネルギーの有効利用を達成するために、SiCパワーデバイスの登場が期待されている。SiCパワーデバイスでは低オン抵抗、高速スイッチング、200℃以上の高温動作などが可能になる。本講演では実用化へ向けて急速に進展しているSiC-SBDとSiC-MOSFETの現状を振り返り、デバイス特性や耐久性能、残された課題について報告する。
14:30-14:45	休憩（オーサーズインタビュー）
14:45-15:25	GaNによる電力変換のアプリケーションの利点について インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(株) 技術部 担当部長 藤原 エミリオ IR社の、GaN（窒化ガリウム）ベースのパワー・デバイス技術のプラットフォーム（GaNpowIR™）の主要な特徴や、様々なアプリケーションにおける性能のメリットについて発表。シリコン基板と、CMOSと互換性のあるデバイス製造工程を使用したプラットフォームの導入のコストメリットについて、またGaNベースのサンプル素子のアプリケーション回路での性能を現行のシリコン素子と比較し、電力変換回路での主要な用途でのメリット（FOM: Figure of Merit）についても紹介する。
15:25-16:05	GaN系電源用パワーデバイスの開発 サンケン電気(株) 技術本部 先行技術開発統括部 先行開発部 GaN開発グループ 技術主事 佐藤 憲 ワイドバンドギャップ半導体であるGaNはSiCと並びパワーデバイス用途において高いポテンシャルをもつ材料として近年積極的に研究開発が進められている。GaN系電子デバイスは、高周波用途以外にも電源用途への展開が期待されており、本講演においては電源用途向けの材料としてのGaN系半導体について紹介し、GaN on Si電子デバイスの開発状況、最新の動向、実用化に向けての課題について述べる。
16:05-16:45	High-Temperature 250 ℃ SiC Power Modules with Integrated Gate Drive Boards Arkansas Power Electronics International, Inc. President and CEO Alexander B. Lostetter This paper will present the development, build, and testing of a high temperature (250 ℃), high power (600 V / 180 A peak) half-bridge power module utilizing silicon carbide DMOS power transistors. The half-bridge power module implements up to 8 parallel SiC DMOS per switch position (16 SiC DMOS per module), a module integrated half-bridge gate driver board built from a low temperature cofirable ceramic (LTCC) capable of operating to 300 ℃, a high-temperature lead-free die attach and substrate attach that can withstand greater than 400 ℃, a lightweight metal matrix composite (MMC) baseplate material, and a high temperature plastic housing. The power module has been built and experimentally tested to 600V and 180 A peak at 250 ℃ junction temperature. These results will be presented in the paper. ※本講演は英語で行われます。
16:45-17:00	オーサーズインタビュー

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