メモリーセミナー
－メモリー技術の次世代への飛躍を目指して－

• 日付：5月26日（火）　11:30-18:20
• 会場：グランキューブ大阪
• 参加費用：5月15日(金)まで 26,000円／5月16日(土)以降 33,000円(消費税込)
  テキスト(CD-ROM)、昼食付
  
  ○ 学校関係者(含学生)特別価格：3,500円(消費税込) テキスト(CD-ROM)、昼食付
  学校関係者に該当する方は、「お申込」ボタンをクリックし、ログイン後、「申込情報入力」の画面で、「ユーザー情報編集」ボタンをクリックし、「学生割引の適用」の項目を「対象」にしてください。

• プログラムチェア：
  日本アイ・ビー・エム(株)
  マイクロエレクトロニクス事業 コンポーネント・アンド・テクノロジーソリューション
  シニア・テクニカル・スタッフ・メンバー
  西原 道哲
  
  マイクロンジャパン(株)
  プロダクトインテグレーション エンジニアリングマネージャー
  西村 耕造
  

プログラム概要

メモリ技術、応用はますます多様化し、業界再編も大きく動き出しておりメモリビジネスは大きな転換点を迎えています。1960年代後半に電子デバイスとしてのメモリ製品が世に出て以来、ニーズの増加に伴い、巨大市場が世の中を席巻してきました。我々の生活もメモリデバイスとは切り離せなくなっています。これらの大きな動きを今後の発展と絡めながら皆様と共にメモリ技術は今後どのように発展してゆくのか解説したいと思います。

アジェンダ

11:30-11:40

セミナー紹介

11:40-12:30

メモリ技術の過去、現在、未来

東北大学
大学院工学研究科バイオロボティクス専攻 教授
小柳 光正

1970年代からのDRAM技術の進展と、DRAMをめぐる技術の戦いを中心としてメモリ技術の今日までの変遷について述べる。また、今後のメモリ技術の発展の方向に関して、現在提案されている各種の新しいメモリとの関わりの中で議論を展開する。メモリのシステム集積化で重要となる3次元積層化技術についても言及する。

12:30-13:20

昼食（12:30-12:50 オーサーズインタビュー）

13:20-14:00

メモリ市場：未曾有の不況を、脱出･生き残る道はあるのか。

ゴールドマン・サックス証券(株)
投資調査部 ヴァイス・プレジデント
松橋 郁夫

我々は、経験したことのない不況に直面しており、メモリ市場/半導体市場は、さらに厳しい環境におかれている。メモリ市場では、各国で政府による救済の動きがあるほか、合従連衡論議も再燃している。しかし、各関連企業は様々な制約を抱えており、解決の糸口を見つけることは容易ではない。この現状、そして残された選択肢、生き残り策に関して、財務的見地、資本市場からの視点で、解説する。

14:00-14:40

3D Memory Technology for Tera-Bit Era

Samsung Electronics Co., Ltd.
Flash Core Technology Lab., Semiconductor R&D Center, 3-D Flash Development
Han-Soo Kim

There will be strong demand of Terabit level memory capacity in the future industry. Therefore, the memory technology revolution is essential in a few years. However we confront with the shrink limits of memory technology. In this seminar, the technical approaches to overcome the barriers of shrink limit will be presented. One of them is 3D memory technology. And the challenges in 3D memory technology will be discussed.
※本講演は英語で行われます。

14:40-15:00

休憩（オーサーズインタビュー）

15:00-15:40

FeRAM技術の進展

富士通マイクロエレクトロニクス(株)
システムマイクロ事業部 FRAM汎用設計部 部長
川嶋 将一郎

Dream-Memoryとして注目をあびたFeRAMはここ１０年の研究開発でサイエンス的には大きな進展を見せた。一方課題も多く、製品は４Mbit-2T2CどまりでITRSの予想を大きく下回っている。単体ではFLASHに大きく引き離されているが、FeRAMのニッチ・カスタムでの生き残りと今後のFeRAMマイコン等のアプリを紹介する。

15:40-16:20

先端NANDフラッシュ技術及びその応用

(株)東芝　セミコンダクター社
フラッシュメモリ 技師長
百冨 正樹

30nm世代のNANDフラッシュ回路技術、多値技術、メモリセル特性等を紹介するとともにそのアプリケーションについても紹介する。

16:20-16:40

休憩（オーサーズインタビュー）

16:40-17:20

B4-Flash Memory 実用化に向けて

(株)GENUSION
取締役 デバイス技術部長
味香 夏夫

GENUSION独自技術であるB4-Flash メモリ（B4: Back Bias assisted Band to Band tunneling induced hot electron injection）について、原理とその特徴、即ち低コスト性と良好なスケーラビリティ、超高速書込み特性、高い信頼性等と、これらの特徴を生かしたB4-Flash の狙う市場、今後の実用化について述べる。

17:20-18:00

混載不揮発性メモリ技術の展望

(株)ルネサステクノロジ
マイコン統括本部 マイコン技術開発統括部 副統括部長
日高 秀人

1. マイコン用混載（不揮発性）メモリの歴史と現状レビュー、課題と解決
2. 不揮発性RAMへの期待と創出価値
3. 混載メモリの展望
について、プロセス・デバイス開発への要求を軸にして展望を語る。

18:00-18:20

オーサーズインタビュー