JISSOセミナー
－進化を続ける3次元実装技術－

• 日付：5月26日（火）　13:05-18:20　＊開始時間が変更になりました
  
  11:40からの技術研究組合 超先端電子技術開発機構、嘉田 守宏 氏のご講演「我が国の三次元集積化技術の開発動向と展望」がキャンセルとなりました。
  そのため、下記の通り、13：05より本セミナーを開始致します。
  急なご連絡で申し訳ございませんが、何卒ご理解の程お願い申し上げます。
  
  
• 会場：グランキューブ大阪
• 参加費用：5月15日(金)まで 26,000円／5月16日(土)以降 33,000円(消費税込)
  テキスト(CD-ROM)、昼食付
  
  ○ 学校関係者(含学生)特別価格：3,500円(消費税込) テキスト(CD-ROM)、昼食付
  学校関係者に該当する方は、「お申込」ボタンをクリックし、ログイン後、「申込情報入力」の画面で、「ユーザー情報編集」ボタンをクリックし、「学生割引の適用」の項目を「対象」にしてください。

• プログラムチェア：
  三洋電機(株)
  研究開発本部 アドバンストデバイス研究所 企画課 担当課長
  水原 秀樹
  
  大日本スクリーン製造(株)
  半導体機器カンパニー マーケティング部
  笹部 俊二

プログラム概要

携帯電話の進化に牽引され、3次元実装は分化しながら進化を続けています。最先端の開発に従事しておられる講師の方々とともに、3次元実装と周辺技術について議論を深めます。

アジェンダ

11:30-11:40

セミナー紹介

11:40-12:15

我が国の三次元集積化技術の開発動向と展望

技術研究組合 超先端電子技術開発機構
三次元集積化技術研究部
嘉田 守宏

三次元集積化技術は、More Mooreと両輪となるMore than Mooreの中核技術として、世界中で開発が行われている。我が国でも技術研究組合 超先端電子技術開発機構（ASET）がNEDO「ドリームチップ／多機能高密度三次元集積化技術開発プロジェクト」の委託を受け、開発を進めている。本講ではプロジェクトの開発状況を報告するとともに、世界の注目すべき開発動向を紹介する。

12:15-13:15

昼食（12:15-12:35 オーサーズインタビュー）

13:15-13:50

携帯電話におけるSiP・モジュール実装技術の動向

セミコンサルト
代表
上田 弘孝

半導体デバイス・パッケージの進歩を支える一つの分野が携帯電話である。専用半導体デバイス・パッケージを駆使するNTTドコモ端末機に対し、汎用チップセットを利用して商品の差別化を進めるau, SoftBank,そして海外端末機メーカ。3次元実装を含む最新の半導体パッケージとその実装事例を紹介する。

13:50-14:25

携帯電話における3次元実装

ノキア・ジャパン(株)
デバイスR&D リサーチスペシャリスト
片平 孝祥

携帯電話は高密度実装が最も要求される分野の一つであり、3次元実装が積極的に取り入れられてきた。この講演においては当社の製品に使用されている、あるいは今後必要とされうる技術について、PoPを中心に説明を行う。

14:25-15:00

部品内蔵配線板型3次元実装技術の開発と応用

太陽誘電(株)
複合デバイス事業本部 EOMINプロジェクト 主任研究員
宮崎 政志

本講演では、携帯機器向け部品内蔵配線板に必要な機能と、要素技術の開発及び応用状況について述べる。
部品内蔵配線板を携帯機器に搭載するには、放熱機能とEMC対策機能が必要であり、その効果の予測について述べる。また、部品内蔵配線板には、リフロー耐性が必要であり、これを満足するために、能動部品及び受動部品共に、電解Cuめっき技術によるビア接合技術を開発した。本講演では、その信頼性レベルについて述べる。更に、部品内蔵配線板の応用では、携帯電話が有効であり、携帯電話の機能ブロックへの採用事例と、無線モジュールへの応用状況について述べる。

15:00-15:20

休憩（オーサーズインタビュー）

15:20-15:55

三次元実装における接合技術

(株)ルネサステクノロジ
生産本部 技術開発統括部 主管技師長
島本 晴夫

SiPに代表される三次元実装に必要な接合技術について、ピン数の増加やファインピッチ化、C2CやW2W等の実装方法に伴い、多様化している。その製品での実施例や技術動向及び開発課題について説明する。

15:55-16:30

TSVウエーハの薄片化技術

(株)東京精密
半導体社 執行役員
小林 一雄

シリコンは25μから10μを切る薄片化技術が求められている。ダイシングやグラインディングなど物理的な研削技術が進歩すると同時に、搬送対策として加工歪の解消を目指した化学的方法に到っている。その反面、素子特性としては結晶歪が少ないことで金属イオンの捕獲能力の減少問題が浮上。WSSに依存して搬送を容易にすると装置がスタンドアローン化する。これは労働集約化を促しTSV工程の国外流出を加速しないか？搬送と通信をインライン化した装置開発はその解になるのか？

16:30-16:50

休憩（オーサーズインタビュー）

16:50-17:25

3次元実装対応 High Productivity Through-Silicon Via(TSV) 加工

東京エレクトロン(株)
3DI プロジェクト セールスリーダー
神山 均

近年、メディア社会の進展は非常に目覚しく、マルチ情報端末機器の更なる小型化、並びに大容量化、又、高性能高機能化が市場からは要求され、これを実現するひとつの手法として、3次元実装技術が検討され、一部製品では既に量産も開始されている。
その3次元実装の貫通配線を実現する上で、Through-Silicon Via（TSV）加工時の生産性向上は、量産稼動時には非常に重要なアイテムとされる。
東京エレクトロン(株)は、より安定し、高い量産性を考慮した実績あるプラズマソースを使用し、このTSV加工を実現している。本講演では、その特性を一部紹介する。

17:25-18:00

TSVによる三次元LSI

IMEC　日本事務所
石谷 明彦

TSVによる三次元LSI技術は、二次元LSI技術の限界を打ち破るブレークスルー技術として期待されている。三次元LSI技術は、ハードとソフトを統合するシステム設計にもとづき、トップダウンで技術選択を行う技術体系となるべきである。目的とするシステムの実現を目指し、開発する技術者の意思決定が最も重要である。

18:00-18:20

オーサーズインタビュー