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ドライエッチングパターンサファイア基板仕様

By Isadora Jin, SEMI China and Fanghu Si, Jing'an Optoelectronics Co., Ltd

 

SEMIはこのほど、「SEMI HB12, Specification for Dry-Etched Patterned Sapphire Substrates (DPSS)」という新しい規格を発行した。高輝度発光ダイオード(HB-LED)とパターンド・サファイヤ基板(PSS)産業が急速に発展しているため、LED(発光ダイオード)産業の研究開発、生産、販売の要求に応えるために、明確で共通の基盤を提供できるPSS製品の規格を確立することが必要となっている。PSS産業はLED産業全体の中で上流に属しているため、健全な規格と仕様システムはLED産業の下流に利益をもたらします。

 

SEMI HB12は、ドライエッチングされたパターンド・サファイヤ基板のパターンパラメータ(高さ、幅、ピッチなど)の用語、定義、仕様を規定しています。本規格は、半導体GaNエピタキシャル発光ダイオード製造用のパターニングサファイア基板に適用されます。特にシンメトリーは革新的なパラメータ仕様です。また、異なる欠陥サイズの数量仕様もこの規格で規定されています。

 

図1

図2

SEMIスタンダード開発活動は、年間を通じて、関連業界の主な生産地域にて行われています。SEMIスタンダード委員としてご参加いただくには、次のサイトにてSEMIスタンダード委員登録のお手続きを行ってください。
www.semi.org/standardsmembership

 

本件に関する日本国内でのお問合せ

SEMIジャパン スタンダード&EHS部
菅野博史 ([email protected])