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力晶擴大NAND Flash產能,2012年將是台灣DRAM廠轉型年

新聞來源: DRAMeXchange (2011.11.10)

 

力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量,以最低的產能維持DRAM的技術發展,並於明年起全數轉入30nm 4Gb生產,而空出的產能將會以NAND FLASH填補,後續技術發展的重點也轉移到NAND 2Xnm的製程微縮。放遠未來,力晶仍會保留DRAM技術,待3D-IC以及TSV的技術成熟時,將會以記憶體為中心做晶片組的整合,力圖成為大中華地區各技術領域最完整之晶圓廠。

 

隨著力晶正式宣佈將產能逐步擴大至Flash產品上,加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品,希望明年標準型DRAM的投片僅佔總投片量的20%,力晶將成為代工與Flash為主要業務的公司,也算是宣告退出標準型DRAM市場,與國際大廠相比,台灣DRAM產業由於製程轉進速度緩慢及過多比例放在標準型DRAM上,導致今年至今虧損達台幣586億元,由於DRAM產業仍處於供過於求的狀況,加上國際大廠在第四季積極轉入30nm製程,集邦科技(TrendForce)預估明年上半年供過於求依然超過15%,故部份台系DRAM廠早已展開轉型之路,除了前述力晶之外,南科也將逐步轉入利基型與伺服器記憶體為主,華亞科在美光的伺服器記憶體的訂單下,也希望將伺服器記憶體比重拉到30-50%,華邦則是早已轉型成功,專攻行動式記憶體與NOR Flash為主要市場。

 

放眼2012年,將是台系DRAM廠轉型的關鍵年,只要能降低標準型記憶體的生產量,將有機會在嚴峻的市場中生存下來。

 

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