SEMI News 開発秘話 「デバイス編」
2008年
2009年
- No.1 三菱電機(株) 高エネルギーイオン注入
- No.2 (株)東芝 NANDフラッシュメモリ
- No.3 富士通(株) HEMT（高電子移動度トランジスタ）
- No.4 (株)日本電気 DZIGシリコンウェーハ
2010年
- No.1 三菱電機(株) MoSi位相シフトマスクへの道のり
- No.2 (株)東芝 1M DRAM
- No.3 ソニー(株) CCDイメージセンサ
- No.4 (株)東芝 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）： 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
2011年
- No.1 シャープ(株) 液晶ディスプレイ
- No.2 東北大学 ウェーハレベルパッケージングによるMEMS
- No.3 (株)日立製作所 CDSEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope）
- No.4 (株)日立製作所 フラッシュメモリ搭載マイコン
2012年
- No.1 (株)ニューフレアテクノロジー 半導体用電子ビームマスク描画装置
- No.2 松下電器産業(株) ウェーハ・レベル・バーンイン技術の開発
- No.3 (株)日立製作所 低消費電力SHシリーズマイコン
- No.4 (株)東芝 Cell Broadband Engine
2013年