2013년 전공정 팹 장비투자 17% 성장

2013년 전공정 팹 장비투자 17% 성장

2012.09.12 ㅡ국제반도체장비재료협회(SEMI)가 최근 발행한 세계 팹 전망 보고서에 따르면, 팹 장비 확장, 기술 노드 업그레이드, 웨이퍼 크기 확대 및 변경에 필요한 총 팹 장비 투자가  2013년 16.7% 증가한 427억 달러로 신기록을 달성할 전망이다. 총 팹 장비 투자에는 신규 장비, 기존 장비, 인하우스 장비를 포함되며 테스트 어셈블리 및 패키징 장비는 제외되었다.

이번에 발행된 최신호는 올해 혹은 가까운 장래에 생산을 시작하는 76개 시설을 비롯한 약 1,150여 설비(300개 광/LED 설비 포함)를 대상으로 장비 및 팹 건설 투자전망을 추적한다. 한편, 2012년 5월 기준, 52개 광/LED 팹 포함한 230여 설비에 대해 총 296건이 새로 업데이트되었다.

반도체 제조 파운드리 업체들은 올해 총 100억 달러 이상을 투자하며 팹 장비 투자를 주도했으며 2013년에도 약 100억 달러를 추가로 장비에 투자할 것으로 전망된다.

2012년 팹 건설의 가장 큰 비중은 미주지역이 차지했다. 인텔, 글로벌파운드리스, 삼성, 마이크론은 미주지역의 팹 건설 프로젝트에 2010년~2012년까지 60억 달러 이상을 투자할 전망이다. 이 건설 프로젝트의 대부분은 2012년 말에 완료된다. 다만, 미주지역에서 근시일내 예정된 신규 팹 프로젝트가 없기 때문에 2013년 건설 투자는 2012년 30억 달러에서 5억 달러 이하로 하락할 전망이다.

2013년 대부분의 팹 건설은 대만, 중국, 한국에서 진행된다. 삼성은 기존의 4개의 메모리 라인을 시스템 LSI로의 공격적인 전환을 시작했다. 플래시 메모리에서 시스템 LSI로의 전환은 쉽지 않다. 메모리부문 시설용량의 축소가 예상되지만, 이를 보완하기 위해 삼성은 중국 시안(西安)에 70억 달러의 대규모 투자로 신규 메모리 팹을 세울 예정이다. 이 팹은 2012년 9월 중순 경에 기공할 예정이다.

한편, SEMI 세계 팹 전망 보고서를 통해 잠재적 시설용량을 지닌 최첨단 플래시 메모리 팹에 대한 정보를 확인할 수 있다. SMIC가 베이징에 신규 팹을, TSMC와 UMC가 대만 팹 프로젝트에 투자할 예정으로 팹 건설 투자의 또 다른 증가 요인이 되고 있다.

SEMI 세계 팹 전망 보고서는 건설 프로젝트, 팹 장비, 기술 수준 및 제품에 대한 자본지출을 평가하기 위해 상향식 접근 방법을 사용하며 요약 정보와 그래프를 제공, 팹 별로 자본지출, 시설용량, 기술, 제품에 대한 심층 분석을 제공한다.

 

 

 

SEMI에 관하여

SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International, 국제반도체 장비재료협회)는 1970년에 미국 마운틴 뷰에서 설립되었고, 세계 반도체 장비, 재료 산업 및 평판 디스플레이(FPD), MEMS, NANO, 태양광 산업을 대표하는 세계 유일의 국제 협회입니다. 한국 내 200여 개 회원사를 포함하여 전 세계적으로 2,000여개의 회원사들로 구성되어 있으며, 캘리포니아 산호세에 본부를 두고 서울, 브뤼셀, 도쿄, 싱가포르, 타이완, 모스크바 및 상하이, 인디아에 사무국을 갖고 국제표준규격(Standards), 무역전시회(SEMICON Exhibition), 마켓통계, 기술 심포지엄, 대정부관계 등의 활동을 펴오고 있습니다.