2012 반도체 포토마스크 시장, 32억 달러 전망

-2010년 세계 반도체 포토마스크(photomask) 시장 규모는 30억 달러로, 2012년에는 32억 달러에 달할 것으로 예측됨.

-반도체 포토마스크 시장은 2008년과 2009년 2년 연속 하락한 후 2010년 10% 성장함. 향후 2년 간은 각각 7%와 2% 성장할 것으로 예측됨.

-반도체 포토마스크 시장 성장의 핵심 동인은 앞으로도 65nm이하의 최소 배선폭(feature size) 선진 기술과 아시아태평양 지역의 제조 증가일 것임. 자체 포토마스크 공장이 2006년 전체 시장의 30%를, 2010년에는 40%를 차지함.

-전통적인 광학 리소그래피(optical lithography)가 극자외선(EUV), 미세자외선 패턴 기술(maskless lithography), 나노임프린(nano-imprint) 등 차세대 리소그래피 기술을 지속적으로 밀어낼 것임. 45nm 공정에 이머전 리소그래피(immersion lithography; 액침 노광) 기술이 적용되며, 다른 공정에도 더블 패터닝(double patterning) 기술이 적용되고 있음.

-광학 리소그래피를 최소 배선폭22nm 공정에 확대하기 위해, 제조업체들은 더블 패터닝과 소스 마스크 최적화(source mask optimization)뿐 아니라 컴퓨테이셔널 리소그래피(computational lithography)를 활용하고 있음. EUV 기술은 16nm 공정으로 밀려났음. 혁명적인 EUV기술의 비용과 새로운 공급망 개발이 EUV의 채택여부와 시기를 결정하게 될 것임.

-EUV 가 검사(inspection), 소스파워(source power), 마스크(masks), 레지스트(resist: 마스크에 바르는 감광물질) 등 핵심 분야에서 점진적인 진전을 보였음에도, EUV를 크기를 더 줄이기 위한 193nm 이머전 공정이 가능한 보완 기술로 사용하기 위한 논의가 확대되고 있음.

-이는 포토마스크 공급업체가 직면한 가장 힘든 도전과제 즉 기술적인 문제보다 경제적 불확실성이 더 중요하게 작용하고 있다는 것을 보여줌. 앞으로 더 앞선 포토마스크 툴 및 재료가 필요하게 될 것이지만, 더 작은 크기를 선호하는 고객이 제한되어 있고 자체 공장에 대한 의존도 증가 때문에 포토마스크 업계는 줄어드는 시장과 가속화되는 발전 및 자본 비용의 균형을 이루어야 함.

SEMI Global Update April 5, 2011/Eng version

SEMI에서 발표한 ‘포토마스크 특성 요약 보고서’는 북미, 일본, 유럽, 대만, 한국, 중국 및 기타 세계 국가 등 총 7개 지역의 2010 포토마스크 시장에 대한 상세한 내용을 제공하며 또한 2005~2012년까지의 각 지역의 자료를 포함하고 있습니다.

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