Conference Proceedings

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Conference Proceedings

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최신 행사 하이라이트

Semiconductor Materials Outlook
January 27, 2016; presented at SEMICON Korea 2016

Packaging and Materials
January 11, 2016; presented at the Industry Strategy Symposium

Semiconductor Materials Outlook
December 16, 2015; presented at SEMICON Japan 2015

South America Semiconductor Strategy Summit
November 10-12, 2015

SEMI Brussels Forum
November 9, 2015

더 많은 행사 하이라이트는 여기를 클릭해 확인하실 수 있습니다.

 

 

 

온라인 자료

SEMI 비디오
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SEMI 웨비나
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이벤트 아카이브

지난 SEMI 이벤트 주요 컨텐츠 보기
 

산업 연구 및 통계

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SEMI Member 로고

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SEMI Member 로고 다운로드
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반도체 장비 요약

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SEMI 장비 요약: 웨이퍼 팹 (PDF)
반도체 제조는 일련의 공정에 따라 진행되며, 기판(substrate, 서브스트레이트)에 여러 층의 실리콘층을 입힘으로써 장치 구조를 제조하는 것이 일반적입니다. 이 공정에는 여러 박막층의 증착 및 제거가 수반됩니다. 증착 또는 제거될 박막 영역은 사진식각공정(photolithography, 포토리소그래피)을 통해 관리됩니다. 각 증착과 제거 공정 이후 일반적으로 세척 및 검사 단계가 진행됩니다.

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SEMI 장비 요약: 테스트 장비(PDF)
웨이퍼 제조 공정이 완료되면 각 조립 단계에서 다양한 분야에 대해 여러 유형의 전기적 시험 및 신뢰도 시험이 수행됩니다. 시험 유형으로는 웨이퍼 다이 선별 테스트, 전기적 테스트 및 환경 테스트, 패키지 장치의 번인(burn-in) 테스트 등이 있습니다.

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SEMI 장비 요약: 조립 및 패키징 (PDF)
베어(bare) 반도체 소자를 조립하여 패키징 처리하는 데에는 두 가지 주요 목적이 있습니다. 우선, 패키징을 통해 베어 다이(bare die)를 기계적, 환경적으로 보호할 수 있습니다. 또한, 패키징은 다이와 PCB(Printed Circuit Board) 간 전기적 연결을 제공합니다. 현재 조립 및 패키징에 수많은 패키징 유형, 폼 팩터 및 가공 기술이 사용되고 있습니다.

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SEMI 장비 요약: 기타 전공정장비 (PDF)
기타 전공정 장비란 전공정 제조에만 사용되고 웨이터 가공에 사용되지 않은 장비를 총괄하여 일컫는 용어입니다. 해당 장비는 다음과 같습니다: 웨이퍼 제조 장비, 포토마스크/레티클 장비 및 제조 시설 장비.

반도체 재료 요약

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SEMI 재료 요약: SOI 웨이퍼 (PDF)
실리콘-온-인슐레이터(SOI) 웨이퍼는 1960년대 밀리터리 애플리케이션용으로 처음 개발되었습니다. 기술의 발전으로 SOI 기술은 고도로 정교한 반도체 디바이스 제작에 적용되고 있습니다. 

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SEMI 재료 요약: Sputtering Targets (PDF)
Sputtering is a type of physical vapor deposition (PVD) that is used to deposit thin films onto various surfaces (e.g. semiconductor wafers) by physical means, as compared to chemical vapor deposition (CVD). In PVD, the target source is bombarded with argon ions, which knock off atoms from the target that coat a receiving wafer creating a uniform metal film on the wafer.

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SEMI 재료 요약: Semiconductor Process Chemicals (PDF)
The International Technology Road Map for Semiconductors (ITRS) outlines increasingly higher chemical purity levels required by the semiconductor industry. Currently, there are several grades of chemicals available, and the migration to the highest purity levels has been relatively slow. This can be attributed to the substantially higher costs associated with producing these chemicals and their associated higher prices.

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SEMI 재료 요약: OS(Organic Substrates) (PDF)
지난 10년간 고용적 IC 패키징은 세라믹 패키지에서 OS(Organic Substrate) 기반 패키지, 특히 PBGA(Plastic Ball Grid Array)로 전환되었습니다. CPU(중앙 처리 장치) 마이크로프로세서는 기술의 발달을 앞당길 수 있도록 한 용적 애플리케이션을 제공함으로써 패키징 서브스트레이트의 적층 재료를 세라믹에서 OS(Organic Substrate)로 전환되도록 촉진하였습니다. 연성 회로(Flex circuit) 또는 테이프 서브스트레이트(Tape substrate)는 대규모 다이 패키징(Die Packaging) 분야에서 틈새시장으로 분류되지만 일부 적층 방식 다이 패키지를 포함한 CSP(Chip Scale Package)의 용적에도 사용됩니다. 여러 신규 CSP 설계에서 연성 회로가 아닌 견고한 적층 기판이 점점 더 많이 사용되고 있습니다.

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SEMI 재료 요약: 리드프레임(Leadframes) (PDF)
리드프레임은 다이 마운팅 패들(die mounting paddle)과 리드 핑거(lead finger)로 구성됩니다. 다이 패들은 패키지 제조 중 다이를 기계적으로 지지하는 데 주로 사용됩니다. 리드 핑거는 패키지 외부의 회로에 다이를 연결하는 데 사용됩니다.

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SEMI 재료 요약: 다이 부착 소재(Die Attach Materials) (PDF)
다이 부착 소재는 반도체 소자와 패키징 간에 기계적인 방열 연결을 제공합니다. 다이 부착 소재는 접착, 테이핑 또는 솔더 폼(solder form)에 사용됩니다. 본 시장 요약은 접착, 테이핑 소재만 다루고 있습니다.

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SEMI 재료 요약: 봉지재(Encapsulant Materials) (PDF)
봉합재는 고분자(polymeric) 소재를 기반으로 하며 반도체 소자에 기계적, 환경적 보호를 제공하는 데 사용됩니다. 성형 복합재, 언더필(underfill) 및 액체 봉합재 등이 포함됩니다. 가장 기초적인 단계에서 유기수지, 필러, 촉매, 색소 또는 착색 등 원자재를 혼합하여 이와 같은 소재를 형성합니다. 첨가제로는 내연제, 접착 촉진제, 이형제, 이온 트랩(ion trap), 스트레스 릴리버(stress reliever) 등이 있습니다.

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SEMI 재료 요약: 본딩와이어(Bonding Wire) (PDF)
와이어 본딩은 마이크로 전자산업 전반에서 칩, 서브스트레이트 및 출력 핀을 연결하는 도구로 사용되고 있습니다. 와이어는 IC상의 본드 패드와 리드프레임, 플라스틱 적층 또는 세라믹 서브스트레이트의 본딩 핑거의 연결을 형성합니다. 와이어 재료와 서브스트레이트의 기능을 이용하는 방식으로 본딩이 이루어집니다.

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SEMI 재료 요약: 반도체 포토레지스트 (PDF)
Improvements in semiconductor performance continue to be made, largely driven by advances in optical lithography equipment, photomask, and photoresist (resist) materials. In particular, the design and development of photoresists that are sensitive to short exposure wavelengths have enabled the industry to migrate to smaller device sizes. Photoresist allows precise pattern formation upon exposure to light through a template called a photomask and subsequent etching of portions of the photoresist, resulting in the permanent transfer of patterns to the wafer substrate.

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SEMI 재료 요약: Prime Polished Silicon Wafers (PDF)
A wafer is a thin slice of semiconducting material upon which microcircuits are constructed by doping (via diffusion or ion implantation), chemical etching, and deposition of various materials.

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SEMI 재료 요약: 반도체 포토레지스트 리무버(Semiconductor Photoresist Removers) (PDF)
Removal Materials are wet chemical solutions used to remove the photoresist left on the wafer after processing as well as for cleaning wafers immediately after etch processes on aluminum (Al), tungsten (W), titanium (Ti), titanium nitride (TiN), dielectric oxides, and polysilicon surfaces. Resist removal for greater than 0.50 micron geometries is referred to as a wet-wet process, since these chemical solutions are used to remove both the photoresist mask and photoresist residues.

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SEMI 재료 요약: Polycrystalline Silicon (PDF)
Polycrystalline silicon, also called poly or polysilicon, is one of the purest materials ever manufactured by mankind. Nonetheless, much work is still being done to reduce metal contamination levels and improve uniformity. It is used as the charge material in the silicon ingot growth process and therefore dictates the purity of wafers.

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SEMI 재료 요약: 반도체 포토마스크 (PDF)
A photomask, also called a reticle, is a transparent glass or quartz plate with an array of patterns or images. These materials permit the passage of light in intricate and precise patterns. The patterns or images emerge by creating transparent and opaque regions on the plate through the photolithography process in semiconductor manufacturing. Each pattern consists of opaque and transparent areas that precisely control the passage of light to cast the image of the size and shape of the device elements in a semiconductor circuit.

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SEMI 재료 요약: 에피텍셜/에피 실리콘 웨이퍼(Epitaxial or Epi Silicon Wafers) (PDF)
There are two types of epitaxial or epi silicon wafers used in the semiconductor industry: discrete and MOS.

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SEMI 재료 요약: 반도체 화학적 기계 연마(CMP)재료 (PDF)
반도체 소자 제조는 근본적으로 실리콘 서브트레이트에 금속층과 인슐레이터 재료를 교차로 쌓아올리는 방식으로 구현됩니다. 1990년대 이전, 반도체 화학적 기계 연마(CMP)는 마모에 따른 입자 발생 및 연마재에 포함된 불순물 등의 이유로 고정밀 제조 공정에 사용하기에는 지나치게 '지저분한' 것으로 간주되었습니다. 그러나 현재의 작고 복잡한 첨단 반도체 소자에는 리소그래픽 공정에 극도록 편평하게 연마된 층을 적용해야만 합니다. CMP는 편평한 연마를 제공하는 데 사용됩니다.

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SEMI 재료 요약: 반도체 포토레지스트 현상액(Photoresists Developers) (PDF)
수용성 또는 수성 현상액은 노광 공정 직후 포토레지스트 필름에 패턴을 생성하도록 리소그래피(lithography) 공정에 사용됩니다. 양성 포토레지스트의 경우 장치 패턴을 생성하기 위해 현상액으로 노광된 웨이퍼 부분의 필름을 제거합니다. 음성 포토레지스트의 경우 장치 패턴을 생성하기 위해 현상액으로 노광되지 않은 웨이퍼 부분의 필름을 제거합니다.

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SEMI 재료 요약: 반도체 내반사 코팅(Semiconductor Anti-Reflective Coatings) (PDF)
폴리실리콘(polysilicon), 알루미늄, 구리 등 필름 특성으로 인해 수축하는 장치 요건에 부합하도록 리소그래피(lithography) 및 포토레지스트(photoresist)의 성능을 신장하는 것에는 어려움이 따릅니다. 리소그래피 노광 중 장치 패턴 공정을 수행하는 것은 필름의 고반사 특성, 포토레지스트 두께의 변동성 및 장치 토포그래피(topography) 등의 이유로 쉬운 작업이 아닙니다. 이러한 영향을 최소화하기 위해, 포토레지스트 코팅 직전 또는 직후에 내반사 코팅(ARC: Anti-Reflective Coatings)이라는 재료를 웨이퍼에 적용합니다.