SEMI通信 2017年1月号 SEMIスタンダード情報

2016年度SEMIジャパン・スタンダード賞は
SUMCOの中井哲弥氏が受賞

 

12月15日に開催されたフレンドシップパーティーでは、日本地区スタンダード委員会により特段の功績を認められた諸氏の表彰式が執り行われました。

「SEMIジャパン・スタンダード賞」は、日本地区においてスタンダード活動に特段の貢献があった個人またはグループを表彰するもので、日本地区におけるSEMIスタンダードの最高栄誉賞であり、本年度は中井哲弥氏に授与されます。選考委員会は、中井氏のSEMIジャパン・スタンダード賞受賞の理由を以下のように述べています。

「中井氏は、2010年9月から現在に至るまで、シリコンウェーハ委員会の委員長として日本の活動を取りまとめてこられました。SEMIスタンダードの中でも最も歴史の長いシリコンウェーハ委員会の活動は常にグローバルな視点で展開されていますが、氏はその実現のために常に尽力されています。各地区で開催されるタスクフォース(標準文書素案策定グループ)や委員会に欠かすことなく参加し、常に議論の中心的存在として活躍するとともに、スタンダード活動の全体最適の観点から、PI&C(フィジカル インターファイス&キャリア)委員会や3DS-IC(三次元積層集積回路)委員会との連携を深めることに力を尽くされました。また、関連する文書との矛盾解決、読み手にとっての分かりやすさを意識した改訂の提案など、シリコンウェーハの仕様であるSEMI M1の文書としての質の向上にも大きく貢献されてきました。氏は、450㎜ウェーハ仕様開発活動にも初期段階から参画され、意見調整などその開発過程において大きく貢献されました。」

「SEMI国際協力賞」は次の方々に贈られました。

  • Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc. Lauren Crane(ローレン クレーン)氏
  • 東京エレクトロン株式会社 村田 尚子(ムラタ ナオコ)氏
  • グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 竹田 隆二(タケダ リュウジ)氏

本賞は言語・文化の違いを克服し国際組織間の調整、国際間の大きな課題解決に特段の貢献があった個人またはグループに贈られます。

また、日本地区スタンダード委員会委員また技術委員会幹事で、委員会の新設・改廃・再編もしくは多くのタスクフォースの設立、長年にわたり技術委員会委員として、また、幹事として活躍された方に贈られる「JRSC功労賞」は以下の方々に贈られています。

  • 大日本印刷株式会社 法元 盛久(ホウガ モリヒサ)氏
  • 日清紡メカトロニクス株式会社 石川 誠(イシカワ マコト)氏
  • SCREENビジネスサポートソリューションズ株式会社 西口 直克(ニシグチ ナオカツ)氏
  • 個人 荻原 秀昭(オギハラ ヒデアキ)氏

その他、各技術委員会においても活躍が目覚ましい委員諸氏に対してテクニカルコミッティー賞が各委員長から手渡されました。

 


向って左から中村修*、James Amano*、西口直克、法元盛久、Lauren Crane、中井哲弥、村田尚子、竹田隆二、Rich Salsman***  (敬称略)  
*SEMIジャパン代表、**SEMI HQ Director International Standards、***SEMI HQ Chief Financial Officer & Vice President Operations


スタンダード文書開発状況

期間中、技術委員会において技術審議あるいは委員会による出版承認がなされた文書を紹介します。これらの文書は今後手続き審査等を経て、出版される予定です。

バロット審議

インフォメーション&コントロール委員会

SEMI E170-0416: Specification for Secured Foundation of Recipe Management System (SFORMS) に関する以下の修正 (Doc. 5973) 
※レシピ管理システムの安全基盤の仕様
・サービスメッセージ記述の表における整合性
・表46コンプライアンスステートメントにおけるエラー修正

シリコンウェーハ委員会

SEMI MF1763-0706 (Reapproved 1111), TEST METHOD FOR MEASURING CONTRAST OF A LINEAR POLARIZERのタイトル修正および付随修正(Doc.6042)
※直線偏光子のコントラストを測定するための試験方法

SEMI MF28-0707 (Reapproved 0912), TEST METHOD FOR MINORITY CARRIER LIFETIME IN BULK GERMANIUM AND SILICON BY MEASUREMENT OF PHOTOCONDUCTIVITY DECAYのタイトル修正および付随修正(Doc.6043)
※光化学反応の減衰を測定することによる、少量のゲルマニウムおよびシリコン中の少数キャリア寿命の試験方法

SEMI MF673-1014, TEST METHODS FOR MEASURING RESISTIVITY OF SEMICONDUCTOR WAFERS OR SHEET RESISTANCE OF SEMICONDUCTOR FILMS WITH A NONCONTACT EDDY-CURRENT GAUGE のタイトル修正および付随修正(Doc.6044)
※非導通電流ゲージを有する半導体膜の耐性または半導体膜の耐性を測定するためのテスト方法

SEMI MF928-1014, TEST METHODS FOR EDGE CONTOUR OF CIRCULAR SEMICONDUCTOR WAFERS AND RIGID DISK SUBSTRATES のタイトル修正および付随修正 (Doc. 6045)
※円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭検査のためのテスト方法

SEMI MF1982-0714, Test Methods For Analyzing Organic Contaminants On Silicon Wafer Surfaces By Thermal Desorption Gas Chromatography のタイトル修正および付随修正(Doc. 6046)
※熱脱着ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質分析のための試験方法

SEMI MF728-1106 (Reapproved 1111), Practice for Preparing an Optical Microscope for Dimensional Measurementsの再承認(Doc. 6047)
※寸法測定のための光学顕微鏡の準備の実践

SEMI MF978-1106 (Reapproved 1111), Test Method for Characterizing Semiconductor Deep Levels by Transient Capacitance Techniquesの再承認(Doc.6048)
※過渡静電容量法による半導体深部の特性評価法

トレーサビリティー委員会

SEMI T19-0311, Specification for Device Markingの再承認(Doc. 5971)
※デバイスマーキングのための仕様

出版承認

フィジカル・インターフェイス&キャリア委員会

Doc. 5974, New Auxiliary Information: 450mm PIC Interoperability
※新オージャリインフォメーション: 450mm PICインターオペラビリティ―

インフォメーション&コントロール委員会

SEMI E170-0416: Specification for Secured Foundation of Recipe Management System (SFORMS)関連情報R1にコンプライアンステーブル追加
※レシピ管理システムの安全基盤の仕様

どちらも手続き審査等を経て、出版手続きが行われる予定です。

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