SEMI Tutorial 「半導体プロセス技術」|2012年10月18日-19日
|
|
|
|
会期:2012年10月18日(木)~19日(金) |
|
第一線の技術者を講師に迎え、半導体デバイス製造プロセスの基本的なコンセプトを豊富な
図表を用いてわかりやすく解説します。デバイスメーカーの技術者、装置・材料メーカー、
熟練技能者、電子工学専攻の学生の方など、幅広い分野の方々に最適な教育コースです。
半日の教育コースを6つご用意しました。次の方々に最適です!
●デバイスメーカーの新人技術者の方
●専門外のプロセスの基本コンセプトを理解したい技術者の方
●製造装置・材料メーカーの技術者の方
●電子工学専攻の学生の方 また基本的知識を備えたい管理職、営業職の方々にも!
お申込
► テキストについて
テキストとして半導体プロセス教本【第5版】(4,000円 税別)を使用します。受講申込とあわせてご購入ください。
*ただし、こちらで購入されたテキスト類はすべて会場でのお渡しとなります。ご購入後、引換券をお送りしますのでセミナー会場へご持参ください。
◎お勧め◎
半導体プロセス教本への質問を一問一答の形でまとめた副読本「一問一答集」とのセット購入(5,000円 税別)をおすすめいたします。副読本は、過去のセミナーで寄せられた質問を整理し、さらに実業に即した新たな質問を追加してわかりやすくまとめたものです。ぜひご活用ください。
► キャンセルについて
お申込日を起算日として10日目以降及び10月6日(土)以降のキャンセル・変更はできません。代理の方のご出席でお振替えください。
万一ご欠席の場合でも、参加費用全額を申し受けますので予めご了承ください。
► 定員 各コース 80名
定員になり次第締切らせていただきますので、お早めにお申込みください。
また、各コースとも参加人数が15名に満たない場合は、中止とさせていただく場合がございます。その場合には、申込者の方にメールにてご連絡申し上げますので、予めご了承ください。
参加費用(消費税別)
|
10月5日(金)までの特別料金 |
10月6日(土)以降 |
|
|
全コース受講 |
38,000円 |
48,000円 |
| セット受講 *リソグラフィ(1)と(2)のセット *多層配線(1)と(2)のセット |
各 15,000円 |
各 18,000円 |
|
1コース受講 |
各 9,000円 |
各 10,000円 |
|
学校関係者(含学生)特別料金 |
各 3,500円 |
各 3,500円 |
コース内容
◎拡散・注入コース
| 日時: |
10月18日(木) 9:30-12:00 |
|
講師: |
ルネサス エレクトロニクス(株) 生産本部 プロセス技術統括部 |
|
内容: |
酸化、拡散、イオン注入関連の基本技術をわかりやすく解説するとともに、半導体トランジスタの基本特性についても解説します。 |
◎ リソグラフィコース(1) -リソグラフィ技術の基礎-
| 日時: |
10月18日(木) 13:00-15:00 |
|
講師: |
大阪大学 産業科学研究所 遠藤 政孝 |
|
内容: |
リソグラフィ技術の基礎を解説します。露光、マスク、レジスト、レジストプロセスに分類して、最新の技術展開も含めて説明します。 |
◎ リソグラフィコース(2) -先端リソグラフィ技術-
| 日時: |
10月18日(木) 15:30-17:30 |
|
講師: |
大阪大学 産業科学研究所 遠藤 政孝 |
|
内容: |
最新のロードマップに基づいた先端リソグラフィ技術を解説します。液浸リソグラフィ、EUVリソグラフィ、ダブルパターニングの各技術について、最新動向も含めて説明します。 |
◎ エッチングコース
| 日時: |
10月19日(金) 9:30-12:00 |
|
講師: |
(株)リコー 電子デバイスカンパニー 第一生産室 |
|
内容: |
ド ライエッチング導入の背景と、その理解に不可欠なプラズマについての基礎的な概念を平易に説明し、ドライエッチングの原理とその装置、LSIプロセスへの 応用とダメージ等の課題について説明します。また、環境問題への対応、微細配線プロセスへの対応等についても簡単に言及します。 |
◎ 多層配線コース(1) -多層配線技術の基礎-
| 日時: |
10月19日(金) 13:00-15:00 |
|
講師: |
ルネサス エレクトロニクス(株) 生産本部 プロセス技術統括部 |
|
内容: |
アルミ多層配線技術を中心に、その必要性および配線構造、構成する材料としての金属膜、絶縁膜について解説します。さらに、層間膜平坦化技術として重要な役割を果たすCMP技術についても説明します。 |
◎ 多層配線コース(2) -Cu/Low-k 多層配線技術-
| 日時: |
10月19日(金) 15:30-17:30 |
|
講師: |
ルネサス エレクトロニクス(株) 生産本部 プロセス技術統括部 |
|
内容: |
近年注目のCu(銅)/Low-k(低誘電率層間膜)多層配線技術について、その必要性および技術課題とその対策を解説します。さらに、45nmノード以降の最先端の技術動向についても言及します。 |
※プログラムは変更となる場合もありますので、予めご了承ください。
会場
SEMIジャパン 大島ビル 5F 会議室 (〒102-0074 東京都千代田区九段南4-7-13)
- JR総武線:市ヶ谷駅 徒歩5分
- 都営地下鉄新宿線・東京メトロ有楽町線、南北線:市ヶ谷駅 A3出口となり
お問合せ
SEMIジャパン イベント受付
TEL:03-3222-5993 FAX:03-3222-5790
E-mail: jeventinfo@semi.org
