富士通半導體GaN電力晶片明年量產
富士通半導體GaN電力晶片明年量產
新聞來源: 電子時報 (2012.1.20)
繼東芝(Toshiba)、三菱電機(Mitsubishi Electric)等業者後，同屬日本陣營的富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)也宣布打入功率半導體市場。根據日本經濟新聞報導，該公司已研發出1款使用氮化鎵(GaN)的電源控制晶片，自2013年4月正式投入量產，計劃在2015年度之前將該產品營收提升至100億日圓(約1.3億美元)，成為系統整合晶片(System LSI)以外的另一項核心事業。
GaN功率半導體能夠克服傳統矽半導體在大電流、高電壓環境下的漏電問題，加上富士通半導體對製程進行了部分改良，使電源控制晶片的崩潰電壓(Breakdown Voltage)最大能達到600伏特，預計2012年內開始樣品出貨，2013年4月起透過福島縣會津若松工廠投產。
富士通半導體不僅要把該款電源控制晶片搭載於PC、空調、洗衣機，還積極搶進未來成長可期的環保領域，諸如電動車、太陽能以及風力發電裝置等。報導指出，GaN材料能夠讓漏電機率減少7成，具有優秀的省電性能，延長環保車的單次充電的行駛距離。
在功率半導體市場，除了長年雄踞領導地位的英飛凌(Infineon)外，還有三菱電機、Rohm、富士電機在爭奪市佔率。調查公司富士經濟(fuji keizai)的調查報告顯示，受惠於環保產業持續發展的拉力，到2020年，功率半導體的全球產業規模將超過目前2倍至4.5兆日圓。
三菱電機及Rohm均使用碳化矽(SiC)作為材料，以GaN實現商品化的情形在市場上尚屬少見，因此富士通半導體雖起步較晚，仍將保有一定程度的競爭優勢。
