IBM發表原子級記憶體新技術
IBM發表原子級記憶體新技術
新聞來源: 電子工程專輯 (2012.1.17)
IBM研究中心的科學家們已經證明能夠以不到12個磁原子實現資訊儲存的能力。相較於目前硬碟中使用大約100個原子儲存1位元的資訊能力，這項新技術顯然可望為記憶體儲存容量帶來突破性的進展。
當矽晶電晶體技術的成本變得更低、更密集且效率更高時，基本的物理限制使其無法持續沿用傳統的微縮途徑。為了延續電腦創新的快速進展，業界需要採用其它的替代方案。透過採取一種新穎的途徑，並從資料儲存的最小單位──原子──開始，科學家們證明了磁性記憶體比當今的硬碟與固態記憶體晶片密度至少高出100倍。未來的奈米結構應用每次建構一個原子，藉由其反鐵磁性(antiferromagnetism)的非傳統磁性形式，就能讓用戶與企業在相同的空間中儲存更多100倍的資訊。
「晶片產業將持續追求半導體技術的微縮，但隨著元件越來越小，這一進展的道路不可避免地將達到終點：原子。我們於是採取相反的作法，從最小的單位─原子─著手，每次採用一個原子來打造運算設備。」IBM研究中心負責原子儲存研究的首席研究員Andreas Heinrich表示。
IBM研究中心的科學家們利用一種掃描穿隧式顯微鏡(STM)，設計出一組12個反鐵磁性的耦合原子，以低溫方式儲存1位元資料達數小時。利用原子固有的交換磁旋方向特性，使其表現出較原先更緊密相鄰的磁位元性能。同時，這也大幅增加了磁錄儲存密度，而不至於破壞鄰近位元的狀態。
