明年SSD Flash恐缺貨 低階晶片仍過剩
明年SSD Flash恐缺貨 低階晶片仍過剩
新聞來源: 電子時報 (2011.12.29)
2011年底由於智慧型手機、平板電腦備貨潮，挺住NAND Flash報價、意外沒有出現崩盤情況，記憶體業者表示，2012年高、低階NAND Flash晶片價格走勢將呈現兩極化，高階NAND Flash晶片取決於上游大廠轉進19及20奈米製程速度，預期固態硬碟(SSD)用的高容量NAND Flash晶片恐將呈現微幅缺貨狀態，至於低階TLC晶片在快閃記憶卡、隨身碟市場趨於成熟下，仍將小幅供過於求。
記憶體業者指出，NAND Flash大廠和下游記憶體模組廠搶進SSD、eMMC市場商機，預期此趨勢將一直延續至2012年，不僅讓2011年底NAND Flash價格大力挺住，業界更預期64Gb及32Gb高容量NAND Flash晶片在洛陽紙貴下，2012年恐出現小幅缺貨潮。
不過，儘管自2011年開始SSD、eMMC商機逐漸發酵，然多數業者仍處於起步階段，SSD受限於成本太高，加上只有Marvell、Sandforce(現併入LSI)等控制晶片業者支援，台廠幾乎在此領域缺席，因此，SSD市場普及率仍有待加強。
NAND Flash業者表示，2011年全球SSD出貨量約1,200萬台，2012年將成長至4,000萬台，預期2014年NAND Flash達到每1GB單位成本1美元後，SSD市場需求可望再度大爆發，2015年市場規模將衝至1.2億~1.5億台。
另外，eMMC亦是高階NAND Flash晶片另一個重要推手，2011年市場面臨最大問題亦是卡在控制晶片技術不夠成熟，相關業者指出，2012年控制晶片技術問題獲得改善後，有機會再創下一個eMMC需求高峰。
記憶體業者認為，相較於高階NAND Flash晶片市場背後推動力強勁，低階TLC晶片表現便顯得較不出色，主要係因快閃記憶卡、隨身碟等市場已太過成熟，唯一可期待的換機潮是USB 3.0隨身碟商機，隨著IC設計公司USB 3.0隨身碟晶片產品愈益成熟，預計2012年市場滲透率會大幅提升，不過，由於USB 3.0隨身碟容量從16GB起跳，消費者是否需要這麼大容量記憶體，有待進一步考驗。
