韓國發展DRAM產業帶來的啟示

資料來源: SEMI (2011.09.27)

韓國半導體產業在一無技術、二缺人才的情況下，通過引進國外技術、消化吸收，最後實現技術自立。這條成功之路，與韓國政府將半導體產業上升到國家級項目，最廣泛組織起其國內業界優勢資源結盟攻關密不可分，這也是韓國人選準DRAM為突破口高起點起步，並最終建立起自己半導體產業核心競爭力的關鍵因素。

韓國半導體產業是從上世紀60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點發展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導體產業扶持政策，僅是把半導體產業作為電子產業扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業家創業，對促進民間資本向電子機械封裝生產集中分配資源起到了推動作用。

韓國政府1982年發布的《半導體工業扶持計劃》和《半導體扶持具體計劃》明確提出，實現國內民用消費電子產品需求和生產設備的進口替代策略，形成一個完整的國內自給自足的半導體產業的發展目標。但在80年代初期，韓國民間企業並沒有按照政府提出的產業方向發展，而是選擇了生產面向國外工業用的DRAM，通過引進國外新技術和設備，採用產品出口的戰略。

結果，韓國以OEM形式實現了半導體全工序生產能力。到了80年代後期，“官民一體”的DRAM共同研發項目所形成的良性互動，則促進了韓國半導體產業的飛速發展，DRAM的自主開發並形成初步的大規模生產能力。而隨著DRAM實現大規模生產，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應發展起自己的設備和材料產業，提高了半導體生產技術的競爭能力。

到了90年代，韓國確立了IT立國戰略方針，在研發、技術引進、建立經濟特區等方面給予優惠政策，而對半導體產業則特別實行了具有國際競爭力的優惠政策。此外，在韓國政府重點擇優扶植，促進大企業形成規模經濟和國際競爭力背景下，韓國商工部根據企業業績等條件確定三星集團為綜合商社企業，在貿易行政、財政金融以及企業研發、設備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領先水平的重要基礎。

韓國DRAM產業的成功，是政府強力支持下的產學研聯盟成功案例。1986年10月，政府將4M DRAM列為國家項目，目標是到1989年開發出和規模生產4M DRAM，完全消除與日本公司的技術差距。為達此目標，韓國政府推動了韓國三大半導體制造商：三星、LG和現代結盟進行技術開發，並由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學的協調者。3年中(1986-1989) 該R&D項目共投入了1.1億美元，而政府承擔了其中的57%研發經費，遠超過其他國家的資金投入和政府在具體研發項目中介入的力度。

政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當1983年韓國以64K產品進入DRAM領域時，技術上要落後美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業中第一個宣布完成4M DRAM設計時，落後日本的時間已經縮短到6個月。而到1992年的64M產品時，韓國則與日本DRAM廠商技術上實現了同步。從256M DRAM開始，韓國則完全處於全球領先水平，並持續擴大自己在DRAM領域技術開發速度上的優勢。

大公司戰略構築了韓國半導體產業的基石，而說到韓國半導體產業，就不得不提及三星（Samsung）。成立於1969年三星電子，是三星集團在電子行業的核心企業，成立初期的主營業務是白色家電，後來將業務拓展到半導體及通信設備行業等，時至今日，三星已經成為全球電子及半導體產品線最為齊全的公司。

1974年12月，三星通過收購韓國半導體進入了半導體產業，這就是後來的三星電子富川半導體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，並以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設第二條生產線以生產6寸晶圓DRAM。當時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術領先者，也只是在他們的fab試產6英寸的晶圓。

由於DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費等多因素所致，到1986年，高速猛進的三星半導體累計虧損了3億美元。但這並未動搖三星在DRAM制造業中取得成功的決心，為此，三星不但沒有採取保守戰略暫停投入，反倒是分批追加投資並開始了面向1M DRAM的更高技術領域開發。

1987年，三星在DRAM的投資終於取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導體事業部總裁李雨潤的心得是：“存儲業是這樣一個行業，如果你不能在過去進行適當的投資，那麼你也不可能在下一次行業興盛時賺到錢。你應該在這次行業興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業的興盛期。”

作者:

陸郝安（Allen Lu），SEMI)全球副總裁、中國區總裁，兼任華美半導體協會上海聯誼會副主席。陸先生擁有美國弗吉尼亞大學固態物理學博士學位，在20多年半導體職業生涯中，涉足技術研發、商業經營和企業管理等職，曾先後服務於英特爾、應用材料等世界頂級半導體公司。