2012年全球光罩市場預測可達32億美元 

資料來源：Lara Chamness，SEMI產業研究與統計資深產業分析師 

2010年全球半導體光罩市場達到30億元規模，預估2012年數字可達32億美元。由於有2008和2009連續兩年的簽約保障下，半導體光罩市場在2010年增長了10%，而未來兩年光罩市場則預計將有7%和2%的成長。驅動此一市場成長的關鍵主要來自於先進技術持續進行微縮(小於65nm)，以及亞太地區製造業的蓬勃發展。以專有光罩(captive photomask)廠商而言，在2006年其僅佔光罩市場30%的比例，但在2010年，該數字已成長至40%。

圖1：2010年地區別光罩市場比例

資料來源：半導體光罩市場的動向以及預測報告 – 2011年3月

傳統的光學微影技術將持續推動下一代微影技術方案的推陳出新，包括超紫外光(EUV)、無光罩微影、和奈米壓印(nano-imprint)。而對於45nm製程節點而言，浸潤式微影(immersion lithography)可說是其首選技術。另外針對sub 45nm製程節點，透過顯影光源最佳化(Source Mask Optimization，SMO)的應用將可擴展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術也被視為重要方案。

為了協助將光學微影技術延伸至22nm節點尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，設備製造商還打算利用運算微影(computational lithography)的技術。而一再延宕、遲遲不見芳蹤的EUV技術，則至少要等到16nm節點後才有可能出現，而且屆時此一革命性的新技術是否會被廣泛採用，還得取決於成本考量，以及能否形成新的供應鏈。然而，在一些關鍵領域中，譬如檢測設備、光源功率(source power)、光罩和光阻材料(resist)等，EUV還是有所進展的。雖然EUV技術領域已逐步取得進展，但卻也有越來越多的論調認為應該將EUV技術作為協助193nm浸潤式微影進一步微縮的補助手段，以突破後者在物理特性上的局限。

而對於批發式光罩(merchant photomask)供應商來說，經濟方面的不確定性因素遠比技術問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱鉅的挑戰，更多先進的光罩工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶會轉移至更小尺寸的產品，而且似乎對於專有光罩廠商的依賴也日益加深，因此批發式光罩產業必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進行技術升級發展也能兼顧資本成本。

SEMI最近發表了《Photomask Characterization Summary》，對2010年的光罩市場提供詳細的分析，並以全球七個主要地區，包括北美、日本、歐洲、台灣、韓國、中國、以及其它地區進行市場分析，該報告還囊括每一地區從2005至2012年間的相關數據資料。

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