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SEMI會員獨享的材料簡介
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 2008 SEMI材料簡介：半導體的抗反射塗層(PDF)
要增展平版印刷術(lithography)與顯相抗蝕劑(photoresists)的效能，以達到日益縮小的製成品需求，對構成封膠材質(film properties)中的多晶矽(polysilicon)、鋁、與銅的層次應用是一項挑戰。由於這些封膠材質高反射的天性、不同的顯相抗蝕劑厚度、與各式各樣的製成品測量圖(device topography)都須製成相同的特定結構製成品(patterning devices)，所以導致在平版印刷術曝光時高難度的製造過程。為了降低這些影響，因此在顯相抗蝕劑塗層(photoresist coating)塗至晶圓上之前一或後一層，會塗上抗反射塗層(anti-reflective coatings, ARC)。
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2008 SEMI材料簡介：半導體的顯相抗蝕劑(PDF)
由於應用先進的光學平版印刷設備(optical lithography equipment)、照相模(photomask)、與顯相抗蝕劑(photoresist)材料，半導體的性能一直能處在持續的進步中。特別是對短曝光波(short exposure wavelengths)敏感的顯相抗蝕劑的新研發與設計，讓業界能順利的演進至較小型的製程。透過照相模(photomask)平台的曝光，顯相抗蝕劑能製成精確的特定製程結構(pattern formation)。加上接下來的顯相抗蝕劑部分蝕刻技術，能將特定製程結構永久的轉製至晶圓母板上。
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2008 SEMI材料簡介：半導體的顯相抗蝕清除劑(PDF)
此清除材料是濕式化學水溶劑，用來清除在製成過程中殘留在晶圓上的顯相抗蝕劑(photoresist)；與用在於鋁、鎢、鈦、氮化鈦、電鍍氧化物、與多晶矽(polysilicon)表面蝕刻製程後的立即晶圓清潔。由於這些化學水溶劑被應用在清除顯相抗蝕劑殘留的膜及殘餘物，所以這些抗蝕水溶清除劑清潔大於0.50微米幾何尺寸(micron geometries)的過程叫做wet-wet清潔過程。
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2008 SEMI材料簡介：半導體的顯相抗蝕顯影劑(PDF)
水性或水溶性(water-based)的顯影劑，是應用於平版印刷製成曝光過程(lithography exposure process)之後，立即仿造於顯相抗蝕膠膜(photoresist films)上。對於正片顯相抗蝕劑(positive photoresists)，顯影劑除去在曝光晶圓區域內的膠膜，以產出製成品的特定結構(device patterns)。對於負片顯相抗蝕劑(negative photoresists)，顯影劑除去未曝光晶圓區域內的膠膜，以產出製成品的特定結構。
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2008 SEMI材料簡介：多晶矽(PDF)
多晶矽(polycrystalline)也可稱poly或polysilicon。它是人類應用在製造中，其中之一種最純的材質。雖然如此，仍有許多工作過程，是在降低金屬污染成份，與增進它的成份一致性。在矽沙鑄造過程(silicon ingot growth process)中，它被應用成充電材料(charge material)，所以它支配了晶圓的純質度(purity of wafers)。
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2008 SEMI材料簡介：膠囊材料(PDF)
膠囊材料(encapsulant materials)是聚合性質(polymeric-based)的材料，對半導體製成品提供機構和環境(mechanical and environmental)上的保護。模化合物(mold compounds)、填充物質(underfill)、與水性膠囊(liquid encapsulants)都屬於此類別。在最初的階段中，這些材料是由一些原材料(raw materials)，例如：有機合成樹脂(organic resins)、填充料(fillers)、催化劑(catalysts)、與色素(pigment)，經過公式化混合或變化反應而成。另添加劑，包括：燃點抑止劑(flame retardants)、黏著加強劑(adhesion promoters)、脫模物質(mold release materals)、離子捕捉劑(ion traps)、與壓力解除物質(stress relievers)。
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2008 SEMI材料簡介：裸晶片附加材料(PDF)
Die附加材料 (die attach materals) 提供半導體元件與其封裝，在機械上(mechanical)與熱(thermal)的連結。這些材料多被應用在，黏貼(paste)、膠貼(tape)、與焊接(solder)的型態上。本市場簡介僅含概黏貼與膠貼材料。
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2008 SEMI材料簡介：導線架(PDF)
一組導線架(leadframe)包括一個裸晶片架板(die mounting paddle)與鉛指狀腳(lead fingers)。裸晶片架板主要功用是，在封裝製造過程時用以支撐裸晶片的機械結構。而鉛指狀物能連結裸晶片至外部電路。
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2008 SEMI材料簡介：連結導線(PDF)
連結導線(wire bonding)常用於微電子工業(microelectronics industry)。它是指內部積體片(chips)、母板(substrates)、與輸出管腳導線(output pins)的連結。這些導線讓積體電路(IC)上的連結板(bond pad)與導線架(leadframe)、塑膠薄片(plastic laminate)、及陶瓷基板(ceramic substrate)的指狀腳(fingers)形成連結。這個連結方式的結合是導線材料與 substrat2008 e的一種功能。
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SEMI材料簡介：半導體光罩(PDF)
光罩(photomask)，又叫標線片(reticle), 是一個含有一列陣圖案或影像的透明玻璃(transparent glass)或石英盤(quartz plate)。這些材料允許精緻、且複雜的光源圖案穿透。在半導體製造時，透過照相平版印刷過程(photolithography)，在透明玻璃或石英盤上產生出透明與不透明的區域，以讓圖案或影像顯現。因此每一個圖案都含有透明與不透明區，以準確的控制光源的穿透，鑄製出影像的尺寸、及製成品各部份要素的形狀，以構製出完整的半導體電路。
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2008 SEMI材料簡介：化學機械二維材料(PDF)
半導體製成品的完成，是在多晶矽母片上架構出多層次的金屬交流層(alternating layers of metal)、與絕緣材料(insulator materials)層。1990年代前，化學機械二維材料(chemical mechanical planarization, CMP)被認為會產生太多髒亂；因為在生產中的磨製會產生微粒，加上對本體的磨損，導致製成結果不純；以致於不被應用於高精確金屬加工的過程中。但是，今日先進半導體製成品的優勢，是要能提供小型且又複雜的製成。所以，這些薄層必須維持極薄平，以符合平版印刷過程(lithographic processing)中的需求。而為了達到薄平的目標，CMP便須被應用在生產過程中。
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2008 SEMI材料簡介：噴濺目標(PDF)
與化學蒸發沈積(chemical vapor deposition, CVD)來比較，噴濺(sputtering)是一種物理蒸發沈積(physical vapor deposition, PVD)的方式，用在沉澱薄膠膜於不同的物質表面（例如：半導體晶圓）。在PVD過程中，應用氬離子(argon ions)撞擊目標區，因而將原子(atoms)擊出，並同時能塗層在接收的晶圓上，使晶圓上產生出規格一致的金屬薄膠膜。
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2008 SEMI材料簡介：半導體處置化學品(PDF)
半導體國際科技未來藍圖(The International Technology Road Map for Semiconductors, ITRS)指出，半導體業界要求更提高化學品的純度。雖然目前市面上有不同等級的化學品供應，但升級至最高純度等級的腳步卻是相對緩慢。這可以被歸咎於較高的生產成本，以致及於較高的售價。
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SEMI材料簡介檔案
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2007 SEMI材料簡介：有機母板（PDF）
在過去的十年，高產量IC封裝從陶瓷封裝(ceramic packages)的世代，轉移至有機母板為基礎的封裝(organic substrate-based packages)，特別是應用塑膠球體網列陣(plastic ball grid array, PBGA)的方式。因為中央處理器(CPU)的微處理機(microprocessors)封裝的大量應用，助長了轉至薄片有機母板(organic substrates)的速度，讓此科技較快速成熟。軟性電路(flex circuit)或膠貼母板(tape substrates)的利基市場，是在大型裸晶片封裝。也可用於包括堆疊裸晶片封裝(stacked die packages)的大量薄片封裝(chip scale packages, CSPs)。新增的許多薄片封裝(CSP)設計，寧可應用較嚴謹的硬片母板(rigid laminate substrate)勝於應用軟性電路(flex circuit)。
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2007 SEMI材料簡介：Silicon-On-Insulator (SOI)晶圓（PDF）
Silicon-on-insulator (SOI)晶圓開發於1960s，初期是為軍事應用。在過去的四十五年，SOI科技轉而應用在非常複雜且精緻的半導體製成品的生產。
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2007 SEMI材料簡介：原始磨光矽晶圓（PDF）
晶圓是一個薄片半傳導材料，其微電路(microcircuits)的構成是經由塗料(doping)滲濾或離子植入、化學浸蝕、與各類材料的沉積。
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2007 SEMI材料簡介：磊晶或Epi矽晶圓（PDF）
在半導體產業中，磊晶(epitaxial)或epi矽晶圓的應用，包括兩種型態：離散式(discrete)與MOS。
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